చైనా పోరస్ గ్రాఫైట్ తయారీదారులు, సరఫరాదారులు, ఫ్యాక్టరీ

చాలా మంది SiC సబ్‌స్ట్రేట్ నిర్మాతలు ఈ రోజుల్లో హాట్ ఫీల్డ్ ప్రాసెస్ కోసం పోరస్ గ్రాఫైట్ సిలిండర్‌ను కలిగి ఉండే క్రూసిబుల్ డిజైన్‌ను ఉపయోగిస్తున్నారు. ఈ ప్రక్రియలో గ్రాఫైట్ క్రూసిబుల్ గోడ మరియు పోరస్ గ్రాఫైట్ సిలిండర్ మధ్య అధిక-స్వచ్ఛత గల SiC కణాలను ఉంచడంతోపాటు క్రూసిబుల్‌ను లోతుగా చేయడం మరియు దాని వ్యాసాన్ని పెంచడం జరుగుతుంది. ఇది ఫీడ్‌స్టాక్ యొక్క బాష్పీభవన ప్రాంతాన్ని పెంచుతుంది మరియు ఛార్జ్ వాల్యూమ్‌ను కూడా పెంచుతుంది.

కొత్త ప్రక్రియ మూల పదార్థం ఉపరితలం పెరిగేకొద్దీ ముడి పదార్థం యొక్క ఎగువ భాగం యొక్క పునఃస్ఫటికీకరణ కారణంగా ఉత్పన్నమయ్యే క్రిస్టల్ లోపాల సమస్యను పరిష్కరిస్తుంది, ఇది సబ్లిమేటెడ్ పదార్థం యొక్క ప్రవాహాన్ని ప్రభావితం చేస్తుంది. అంతేకాకుండా, కొత్త ప్రక్రియ స్ఫటిక పెరుగుదలకు ముడి పదార్థ ప్రాంతం యొక్క ఉష్ణోగ్రత పంపిణీ యొక్క సున్నితత్వాన్ని తగ్గిస్తుంది, ద్రవ్యరాశి బదిలీ సామర్థ్యాన్ని స్థిరీకరిస్తుంది, పెరుగుదల చివరి దశలో కార్బన్ చేరికల ప్రభావాన్ని తగ్గిస్తుంది మరియు SiC స్ఫటికాల నాణ్యతను మరింత మెరుగుపరుస్తుంది. అదనంగా, కొత్త ప్రక్రియ విత్తన స్ఫటికాలకు అంటుకోని సీడ్‌లెస్ క్రిస్టల్ ట్రే ఫిక్సేషన్ పద్ధతిని అవలంబిస్తుంది, తద్వారా ఉష్ణ విస్తరణను విముక్తి చేస్తుంది మరియు ఒత్తిడి ఉపశమనాన్ని సులభతరం చేస్తుంది. ఈ కొత్త ప్రక్రియ థర్మల్ ఫీల్డ్‌ను ఆప్టిమైజ్ చేస్తుంది మరియు విస్తరణ సామర్థ్యాన్ని బాగా మెరుగుపరుస్తుంది.

ఈ కొత్త ప్రక్రియ ద్వారా పొందిన SiC సింగిల్ స్ఫటికాల నాణ్యత మరియు దిగుబడి క్రూసిబుల్ గ్రాఫైట్ మరియు పోరస్ గ్రాఫైట్ యొక్క భౌతిక లక్షణాలపై ఎక్కువగా ఆధారపడి ఉంటుందని గమనించడం ముఖ్యం. అయితే, విస్తరిస్తున్న డిమాండ్‌తో పోలిస్తే ప్రస్తుతం మార్కెట్‌లో సరఫరా చాలా తక్కువగా ఉంది.

పోరస్ గ్రాఫైట్ యొక్క ముఖ్య లక్షణాలు:

తగిన రంధ్ర పరిమాణం పంపిణీ;

తగినంత అధిక సచ్ఛిద్రత;

ప్రాసెసింగ్ మరియు వినియోగ అవసరాలను తీర్చడానికి మెకానికల్.

సెమికోరెక్స్ మీ అవసరాలకు అనుగుణంగా అనుకూలీకరించిన అధిక-నాణ్యత పోరస్ గ్రాఫైట్ ఉత్పత్తులను అందిస్తుంది.