చైనా SiC సబ్‌స్ట్రేట్ తయారీదారులు, సరఫరాదారులు, ఫ్యాక్టరీ

సెమీకండక్టర్ పదార్థం యొక్క పలుచని స్లైస్‌ను పొర అని పిలుస్తారు, ఇది చాలా స్వచ్ఛమైన సింగిల్-క్రిస్టల్ పదార్థంతో రూపొందించబడింది. Czochralski ప్రక్రియలో, అత్యంత స్వచ్ఛమైన మోనోక్రిస్టలైన్ సెమీకండక్టర్ యొక్క స్థూపాకార కడ్డీని కరిగించి ఒక సీడ్ క్రిస్టల్‌ను లాగడం ద్వారా తయారు చేస్తారు.

సిలికాన్ కార్బైడ్ (SiC) మరియు దాని పాలీటైప్‌లు చాలా కాలంగా మానవ నాగరికతలో భాగంగా ఉన్నాయి; ఈ కఠినమైన మరియు స్థిరమైన సమ్మేళనం యొక్క సాంకేతిక ఆసక్తిని 1885 మరియు 1892లో కౌలెస్ మరియు అచెసన్ గ్రౌండింగ్ మరియు కట్టింగ్ ప్రయోజనాల కోసం గ్రహించారు, ఇది పెద్ద ఎత్తున దాని తయారీకి దారితీసింది.

అద్భుతమైన భౌతిక మరియు రసాయన లక్షణాలు సిలికాన్ కార్బైడ్ (SiC)ను వివిధ రకాల అప్లికేషన్‌ల కోసం ఒక ప్రముఖ అభ్యర్థిగా చేస్తాయి, వీటిలో అధిక-ఉష్ణోగ్రత, అధిక-శక్తి మరియు అధిక-ఫ్రీక్వెన్సీ మరియు ఆప్టోఎలక్ట్రానిక్ పరికరాలు, ఫ్యూజన్ రియాక్టర్‌లలో నిర్మాణాత్మక భాగం, గ్యాస్-కూల్డ్ కోసం క్లాడింగ్ మెటీరియల్ ఉన్నాయి. విచ్ఛిత్తి రియాక్టర్లు మరియు Pu యొక్క పరివర్తన కోసం ఒక జడ మాతృక. 3C, 6H మరియు 4H వంటి SiC యొక్క వివిధ పాలీ-రకాలు విస్తృతంగా ఉపయోగించబడ్డాయి. అయాన్ ఇంప్లాంటేషన్ అనేది పి-టైప్ మరియు ఎన్-టైప్ సిఐసి పొరలను రూపొందించడానికి, సి-ఆధారిత పరికరాల ఉత్పత్తికి డోపాంట్‌లను ఎంపిక చేసి పరిచయం చేయడానికి ఒక క్లిష్టమైన సాంకేతికత.

కడ్డీసిలికాన్ కార్బైడ్ SiC పొరలను ఏర్పరచడానికి ముక్కలు చేయబడుతుంది.

సిలికాన్ కార్బైడ్ మెటీరియల్ లక్షణాలు

పాలీటైప్	సింగిల్-క్రిస్టల్ 4H
క్రిస్టల్ నిర్మాణం	షట్కోణాకారం
బ్యాండ్‌గ్యాప్	3.23 eV
ఉష్ణ వాహకత (n-రకం; 0.020 ఓం-సెం.మీ)	a~4.2 W/cm • K @ 298 K c~3.7 W/cm • K @ 298 K
ఉష్ణ వాహకత (HPSI)	a~4.9 W/cm • K @ 298 K c~3.9 W/cm • K @ 298 K
లాటిస్ పారామితులు	a=3.076 Å c=10.053 Å
మొహ్స్ కాఠిన్యం	~9.2
సాంద్రత	3.21 గ్రా/సెం³
థర్మ్. విస్తరణ గుణకం	4-5 x 10^-6/కె

వివిధ రకాల SiC పొరలు

మూడు రకాలు ఉన్నాయి:n-రకం sic పొర, p-రకం sic పొరమరియుఅధిక స్వచ్ఛత సెమీ-ఇన్సులేటింగ్ సిక్ పొర. డోపింగ్ అనేది సిలికాన్ క్రిస్టల్‌కు మలినాలను పరిచయం చేసే అయాన్ ఇంప్లాంటేషన్‌ను సూచిస్తుంది. ఈ డోపాంట్లు క్రిస్టల్ యొక్క పరమాణువులు అయానిక్ బంధాలను ఏర్పరచడానికి అనుమతిస్తాయి, ఇది ఒకప్పుడు అంతర్గతంగా ఉన్న క్రిస్టల్‌ను బాహ్యంగా చేస్తుంది. ఈ ప్రక్రియ రెండు రకాల మలినాలను పరిచయం చేస్తుంది; N-రకం మరియు P-రకం. రసాయన ప్రతిచర్యను సృష్టించేందుకు ఉపయోగించే పదార్థాలపై ఆధారపడి 'రకం' అవుతుంది. N-రకం మరియు P-రకం SiC పొరల మధ్య వ్యత్యాసం డోపింగ్ సమయంలో రసాయన ప్రతిచర్యను సృష్టించేందుకు ఉపయోగించే ప్రాథమిక పదార్థం. ఉపయోగించిన పదార్థాన్ని బట్టి, బయటి కక్ష్యలో ఐదు లేదా మూడు ఎలక్ట్రాన్లు ఉంటాయి, ఒకటి ప్రతికూలంగా చార్జ్ చేయబడిన (N-రకం) మరియు మరొకటి ధనాత్మకంగా చార్జ్ చేయబడిన (P-రకం).

N-రకం SiC పొరలు ప్రధానంగా కొత్త శక్తి వాహనాలు, అధిక-వోల్టేజ్ ట్రాన్స్‌మిషన్ మరియు సబ్‌స్టేషన్, వైట్ గూడ్స్, హై-స్పీడ్ రైళ్లు, మోటార్లు, ఫోటోవోల్టాయిక్ ఇన్వర్టర్లు, పల్స్ పవర్ సప్లైలు మొదలైన వాటిలో ఉపయోగించబడతాయి. వాటికి పరికరాల శక్తి నష్టాన్ని తగ్గించడం, మెరుగుపరచడం వంటి ప్రయోజనాలు ఉన్నాయి. పరికరాల విశ్వసనీయత, పరికరాల పరిమాణాన్ని తగ్గించడం మరియు పరికరాల పనితీరును మెరుగుపరచడం మరియు పవర్ ఎలక్ట్రానిక్ పరికరాలను తయారు చేయడంలో భర్తీ చేయలేని ప్రయోజనాలను కలిగి ఉంటాయి.

అధిక స్వచ్ఛత కలిగిన సెమీ-ఇన్సులేటింగ్ SiC పొరను ప్రధానంగా అధిక శక్తి RF పరికరాల సబ్‌స్ట్రేట్‌గా ఉపయోగిస్తారు.

ఎపిటాక్సీ - III-V నైట్రైడ్ నిక్షేపణ

SiC సబ్‌స్ట్రేట్ లేదా సఫైర్ సబ్‌స్ట్రేట్‌పై SiC, GaN, AlxGa1-xN మరియు InyGa1-yN ఎపిటాక్సియల్ లేయర్‌లు.

View as

8-అంగుళాల పి-రకం సిక్ పొరలు

సెమికోరెక్స్ 8-అంగుళాల పి-రకం SIC పొరలు తరువాతి తరం శక్తి, RF మరియు అధిక-ఉష్ణోగ్రత పరికరాల కోసం అత్యుత్తమ పనితీరును అందిస్తాయి. ఉన్నతమైన స్ఫటికాకార నాణ్యత, పరిశ్రమ-ప్రముఖ ఏకరూపత మరియు అధునాతన SIC పదార్థాలలో విశ్వసనీయ నైపుణ్యం కోసం సెమికోరెక్స్ ఎంచుకోండి.*

ఇంకా చదవండి విచారణ పంపండి

12-అంగుళాల సెమీ ఇన్సులేటింగ్ SIC ఉపరితలాలు

సెమికోరెక్స్ 12-అంగుళాల సెమీ-ఇన్సులేటింగ్ SIC సబ్‌స్ట్రేట్‌లు అధిక-ఫ్రీక్వెన్సీ, అధిక-శక్తి మరియు అధిక-విశ్వసనీయ సెమీకండక్టర్ అనువర్తనాల కోసం రూపొందించిన తరువాతి తరం పదార్థం. సెమికోరెక్స్‌ను ఎంచుకోవడం అంటే SIC ఆవిష్కరణలో విశ్వసనీయ నాయకుడితో భాగస్వామ్యం, మీ అత్యంత అధునాతన పరికర సాంకేతిక పరిజ్ఞానాన్ని శక్తివంతం చేయడానికి అసాధారణమైన నాణ్యత, ఖచ్చితమైన ఇంజనీరింగ్ మరియు అనుకూలీకరించిన పరిష్కారాలను అందించడానికి కట్టుబడి ఉంది.*

ఇంకా చదవండి విచారణ పంపండి

N- రకం sic ఉపరితలాలు

సెమికోరెక్స్ ఎన్-టైప్ సిక్ సబ్‌స్ట్రేట్స్ సెమీకండక్టర్ పరిశ్రమను అధిక పనితీరు మరియు తక్కువ శక్తి వినియోగం వైపు నడిపిస్తూనే ఉంటుంది, ఇది సమర్థవంతమైన శక్తి మార్పిడికి ప్రధాన పదార్థంగా. సెమికోరెక్స్ ఉత్పత్తులు సాంకేతిక ఆవిష్కరణల ద్వారా నడపబడతాయి మరియు వినియోగదారులకు నమ్మకమైన భౌతిక పరిష్కారాలను అందించడానికి మరియు గ్రీన్ ఎనర్జీ యొక్క కొత్త శకాన్ని నిర్వచించడానికి భాగస్వాములతో కలిసి పనిచేయడానికి మేము కట్టుబడి ఉన్నాము.*

ఇంకా చదవండి విచారణ పంపండి

SiC డమ్మీ వేఫర్

Semicorex SiC డమ్మీ వేఫర్ అనేది సెమీకండక్టర్ తయారీలో ఒక ప్రత్యేక సాధనం, ఇది ప్రధానంగా ప్రయోగాత్మక మరియు పరీక్ష ప్రయోజనాల కోసం రూపొందించబడింది.**

ఇంకా చదవండి విచారణ పంపండి

3C-SiC వేఫర్ సబ్‌స్ట్రేట్

సెమికోరెక్స్ 3C-SiC వేఫర్ సబ్‌స్ట్రేట్ క్యూబిక్ క్రిస్టల్‌తో SiCతో తయారు చేయబడింది. మేము చాలా సంవత్సరాలుగా సెమీకండక్టర్ పొరల తయారీదారు మరియు సరఫరాదారుగా ఉన్నాము. చైనాలో మీ దీర్ఘకాలిక భాగస్వామిగా మారేందుకు మేము ఎదురుచూస్తున్నాము.

ఇంకా చదవండి విచారణ పంపండి

8 అంగుళాల N-రకం SiC వేఫర్

సెమికోరెక్స్ వివిధ రకాల 4H మరియు 6H SiC పొరలను అందిస్తుంది. మేము చాలా సంవత్సరాలుగా పొరల తయారీదారు మరియు సరఫరాదారుగా ఉన్నాము. మా 8 అంగుళాల N-రకం SiC వేఫర్ మంచి ధర ప్రయోజనాన్ని కలిగి ఉంది మరియు చాలా యూరోపియన్ మరియు అమెరికన్ మార్కెట్‌లను కవర్ చేస్తుంది. చైనాలో మీ దీర్ఘకాలిక భాగస్వామిగా మారేందుకు మేము ఎదురుచూస్తున్నాము.

ఇంకా చదవండి విచారణ పంపండి

<1 2 3 >

సెమికోరెక్స్ చాలా సంవత్సరాలుగా SiC సబ్‌స్ట్రేట్ ఉత్పత్తి చేస్తోంది మరియు చైనాలోని ప్రొఫెషనల్ SiC సబ్‌స్ట్రేట్ తయారీదారులు మరియు సరఫరాదారులలో ఒకటి. బల్క్ ప్యాకింగ్‌ను సరఫరా చేసే మా అధునాతన మరియు మన్నికైన ఉత్పత్తులను మీరు కొనుగోలు చేసిన తర్వాత, త్వరిత డెలివరీలో పెద్ద పరిమాణానికి మేము హామీ ఇస్తున్నాము. సంవత్సరాలుగా, మేము వినియోగదారులకు అనుకూలీకరించిన సేవను అందించాము. కస్టమర్‌లు మా ఉత్పత్తులు మరియు అద్భుతమైన సేవతో సంతృప్తి చెందారు. మీ నమ్మకమైన దీర్ఘకాలిక వ్యాపార భాగస్వామి కావడానికి మేము హృదయపూర్వకంగా ఎదురుచూస్తున్నాము! మా ఫ్యాక్టరీ నుండి ఉత్పత్తులను కొనుగోలు చేయడానికి స్వాగతం.