3C-SiC వేఫర్ సబ్‌స్ట్రేట్

3C-SiC (క్యూబిక్ సిలికాన్ కార్బైడ్) పొర సబ్‌స్ట్రేట్ అనేది ఒక నిర్దిష్ట రకం సిలికాన్ కార్బైడ్ క్రిస్టల్ నిర్మాణాన్ని సూచిస్తుంది, దీనిని సాధారణంగా సెమీకండక్టర్ పరికర తయారీ రంగంలో సబ్‌స్ట్రేట్ మెటీరియల్‌గా ఉపయోగిస్తారు. సిలికాన్ (Si) లేదా సిలికాన్ జెర్మేనియం (SiGe) వంటి ఇతర సిలికాన్-ఆధారిత సబ్‌స్ట్రేట్‌లకు దాని ఉన్నతమైన పదార్థ లక్షణాల కారణంగా ఇది ప్రత్యామ్నాయం.

3C-SiC వేఫర్ సబ్‌స్ట్రేట్ అధిక ఉష్ణ వాహకతతో ఉంటుంది, ఇది వజ్రం తర్వాత రెండవది. సిలికాన్ కార్బైడ్ దాని అద్భుతమైన ఉష్ణ వాహకత, అధిక బ్రేక్‌డౌన్ ఎలక్ట్రిక్ ఫీల్డ్ బలం మరియు విస్తృత బ్యాండ్‌గ్యాప్‌కు ప్రసిద్ధి చెందింది, ఇది పవర్ ఎలక్ట్రానిక్స్, అధిక-ఉష్ణోగ్రత పరికరాలు మరియు అధిక-ఫ్రీక్వెన్సీ పరికరాలలో అనువర్తనాలకు బాగా సరిపోయేలా చేస్తుంది.