850V హై పవర్ GaN-on-Si ఎపి వేఫర్

సెమికోరెక్స్ 850V హై పవర్ GaN-on-Si ఎపి వేఫర్ గ్రోత్ మెకానిజమ్‌ని మెరుగుపరచడం ద్వారా మరియు ఎపిటాక్సియల్ పొర యొక్క ఎపిటాక్సియల్ పొర యొక్క అధిక బ్రేక్‌డౌన్ వోల్టేజ్ మరియు తక్కువ లీకేజ్ కరెంట్‌ను ప్రత్యేకంగా నియంత్రించడం ద్వారా ఎపిటాక్సియల్ పొర యొక్క అధిక ఏకరూపతను సాధించింది. , మరియు పెరుగుదల పరిస్థితులను ఖచ్చితంగా నియంత్రించడం ద్వారా అద్భుతమైన 2D ఎలక్ట్రాన్ వాయువు ఏకాగ్రత. ఫలితంగా, మేము GaN-on-Si హెటెరోజెనియస్ ఎపిటాక్సియల్ గ్రోత్ ద్వారా ఎదురయ్యే సవాళ్లను విజయవంతంగా అధిగమించాము మరియు అధిక వోల్టేజీకి అనువైన ఉత్పత్తులను విజయవంతంగా అభివృద్ధి చేసాము.

850V హై పవర్ GaN-on-Si Epi Wafer ఫీచర్లు”

● నిజమైన అధిక-వోల్టేజ్ నిరోధకత.

● ప్రపంచంలోని అగ్ర స్థాయి వోల్టేజ్ నియంత్రణ స్థాయిని తట్టుకుంటుంది.

● ప్రస్తుత సాంద్రత 100mA/mm కంటే ఎక్కువ.