సి ఎపిటాక్సీ

Si epitaxy మందం, డోపింగ్ ఏకాగ్రత మరియు కూర్పు వంటి నిర్దిష్ట పొర లక్షణాల ఇంజనీరింగ్‌ను ప్రారంభిస్తుంది. డోపాంట్లు అని పిలువబడే నియంత్రిత మొత్తంలో మలినాలను ఎపిటాక్సియల్ పొరలోకి ప్రవేశపెట్టడం ద్వారా, ఫలిత పరికరాల యొక్క విద్యుత్ లక్షణాలను ఖచ్చితంగా రూపొందించవచ్చు. ఇది విభిన్న వాహకత రకాలు (n-రకం లేదా p-రకం) మరియు కావలసిన క్యారియర్ సాంద్రతలతో విభిన్న ప్రాంతాల సృష్టిని అనుమతిస్తుంది, ఇది సంక్లిష్ట ఎలక్ట్రానిక్ సర్క్యూట్‌ల ఏకీకరణను అనుమతిస్తుంది.

Si epitaxy అనేది మైక్రోప్రాసెసర్‌లు, మెమరీ చిప్స్, ఇమేజ్ సెన్సార్‌లు మరియు సౌర ఘటాలతో సహా అధునాతన సెమీకండక్టర్ పరికరాల కల్పనలో ఒక ప్రాథమిక ప్రక్రియ. పరికరం పనితీరు, సూక్ష్మీకరణ మరియు కార్యాచరణను మెరుగుపరచడంలో ఇది కీలక పాత్ర పోషిస్తుంది. మెటీరియల్ లక్షణాలపై ఖచ్చితమైన నియంత్రణతో అధిక-నాణ్యత ఎపిటాక్సియల్ పొరలను డిపాజిట్ చేయగల సామర్థ్యం సెమీకండక్టర్ పరిశ్రమలో కొనసాగుతున్న పురోగతి మరియు ఆవిష్కరణకు దోహదం చేస్తుంది.