ప్రస్తుతం, చాలా మంది SiC సబ్స్ట్రేట్ తయారీదారులు పోరస్ గ్రాఫైట్ సిలిండర్లతో కొత్త క్రూసిబుల్ థర్మల్ ఫీల్డ్ ప్రాసెస్ డిజైన్ను ఉపయోగిస్తున్నారు: గ్రాఫైట్ క్రూసిబుల్ వాల్ మరియు పోరస్ గ్రాఫైట్ సిలిండర్ మధ్య హై-ప్యూరిటీ SiC పార్టికల్ ముడి పదార్థాలను ఉంచడం, మొత్తం క్రూసిబుల్ను లోతుగా చేయడం మరియు క్రూస......
ఇంకా చదవండిరసాయన ఆవిరి నిక్షేపణ (CVD) అనేది ఒక ప్రక్రియ సాంకేతికతను సూచిస్తుంది, ఇక్కడ వివిధ పాక్షిక పీడనాల వద్ద బహుళ వాయు ప్రతిచర్యలు నిర్దిష్ట ఉష్ణోగ్రత మరియు పీడన పరిస్థితులలో రసాయన ప్రతిచర్యకు లోనవుతాయి. ఫలితంగా ఘన పదార్ధం ఉపరితల పదార్థం యొక్క ఉపరితలంపై నిక్షిప్తమవుతుంది, తద్వారా కావలసిన సన్నని చలనచిత్రాన్......
ఇంకా చదవండిఆధునిక ఎలక్ట్రానిక్స్, ఆప్టోఎలక్ట్రానిక్స్, మైక్రోఎలక్ట్రానిక్స్ మరియు ఇన్ఫర్మేషన్ టెక్నాలజీ ఫీల్డ్లలో, సెమీకండక్టర్ సబ్స్ట్రేట్లు మరియు ఎపిటాక్సియల్ టెక్నాలజీలు అనివార్యమైనవి. వారు అధిక-పనితీరు, అధిక-విశ్వసనీయత కలిగిన సెమీకండక్టర్ పరికరాల తయారీకి బలమైన పునాదిని అందిస్తారు. సాంకేతికత అభివృద్ధి చె......
ఇంకా చదవండిఇటీవల, మా కంపెనీ కాస్టింగ్ పద్ధతిని ఉపయోగించి 6-అంగుళాల గాలియం ఆక్సైడ్ సింగిల్ క్రిస్టల్ను విజయవంతంగా అభివృద్ధి చేసిందని ప్రకటించింది, 6-అంగుళాల గాలియం ఆక్సైడ్ సింగిల్ క్రిస్టల్ సబ్స్ట్రేట్ తయారీ సాంకేతికతలో నైపుణ్యం సాధించిన మొదటి దేశీయ పారిశ్రామిక సంస్థగా అవతరించింది.
ఇంకా చదవండిమోనోక్రిస్టలైన్ సిలికాన్ పెరుగుదల ప్రక్రియ ప్రధానంగా థర్మల్ ఫీల్డ్లో జరుగుతుంది, ఇక్కడ ఉష్ణ వాతావరణం యొక్క నాణ్యత క్రిస్టల్ నాణ్యత మరియు పెరుగుదల సామర్థ్యాన్ని గణనీయంగా ప్రభావితం చేస్తుంది. ఫర్నేస్ చాంబర్లో ఉష్ణోగ్రత ప్రవణతలు మరియు గ్యాస్ ఫ్లో డైనమిక్లను రూపొందించడంలో థర్మల్ ఫీల్డ్ రూపకల్పన కీలక ......
ఇంకా చదవండి