- English
- Español
- Português
- русский
- Français
- 日本語
- Deutsch
- tiếng Việt
- Italiano
- Nederlands
- ภาษาไทย
- Polski
- 한국어
- Svenska
- magyar
- Malay
- বাংলা ভাষার
- Dansk
- Suomi
- हिन्दी
- Pilipino
- Türkçe
- Gaeilge
- العربية
- Indonesia
- Norsk
- تمل
- český
- ελληνικά
- український
- Javanese
- فارسی
- தமிழ்
- తెలుగు
- नेपाली
- Burmese
- български
- ລາວ
- Latine
- Қазақша
- Euskal
- Azərbaycan
- Slovenský jazyk
- Македонски
- Lietuvos
- Eesti Keel
- Română
- Slovenski
- मराठी
- Srpski језик
ఇండస్ట్రీ వార్తలు
4వ తరం సెమీకండక్టర్స్ గాలియం ఆక్సైడ్/β-Ga2O3
సెమీకండక్టర్ మెటీరియల్స్ యొక్క మొదటి తరం ప్రధానంగా సిలికాన్ (Si) మరియు జెర్మేనియం (Ge) ద్వారా ప్రాతినిధ్యం వహిస్తుంది, ఇది 1950 లలో పెరగడం ప్రారంభమైంది. ప్రారంభ రోజుల్లో జెర్మేనియం ప్రబలంగా ఉంది మరియు ప్రధానంగా తక్కువ-వోల్టేజ్, తక్కువ-ఫ్రీక్వెన్సీ, మీడియం-పవర్ ట్రాన్సిస్టర్‌లు మరియు ఫోటోడెటెక్టర్‌లల......
ఇంకా చదవండి
లోపం లేని ఎపిటాక్సియల్ గ్రోత్ మరియు మిస్‌ఫిట్ డిస్‌లోకేషన్స్
ఒక క్రిస్టల్ లాటిస్ మరొకదానికి దాదాపు ఒకేలాంటి లాటిస్ స్థిరాంకాలను కలిగి ఉన్నప్పుడు లోపం లేని ఎపిటాక్సియల్ పెరుగుదల సంభవిస్తుంది. ఇంటర్‌ఫేస్ ప్రాంతంలోని రెండు లాటిస్‌ల జాలక సైట్‌లు సుమారుగా సరిపోలినప్పుడు వృద్ధి జరుగుతుంది, ఇది చిన్న లాటిస్ అసమతుల్యతతో (0.1% కంటే తక్కువ) సాధ్యమవుతుంది. ఈ ఉజ్జాయింపు ......
ఇంకా చదవండి
ఆక్సీకరణ ప్రక్రియ
అన్ని ప్రక్రియల యొక్క ప్రాథమిక దశ ఆక్సీకరణ ప్రక్రియ. అధిక-ఉష్ణోగ్రత వేడి చికిత్స (800~1200℃) కోసం ఆక్సిజన్ లేదా నీటి ఆవిరి వంటి ఆక్సిడెంట్ల వాతావరణంలో సిలికాన్ పొరను ఉంచడం ఆక్సీకరణ ప్రక్రియ, మరియు సిలికాన్ పొర ఉపరితలంపై రసాయన చర్య జరిగి ఆక్సైడ్ ఫిల్మ్ ఏర్పడుతుంది. (SiO2 ఫిల్మ్).
ఇంకా చదవండి
ఎందుకు Gllium నైట్రైడ్ (GaN) ఎపిటాక్సీ GaN సబ్‌స్ట్రేట్‌లో పెరగదు?
సిలికాన్‌తో పోల్చినప్పుడు పదార్థం యొక్క ఉన్నతమైన లక్షణాలు ఉన్నప్పటికీ, GaN సబ్‌స్ట్రేట్‌పై GaN ఎపిటాక్సీ పెరుగుదల ఒక ప్రత్యేకమైన సవాలును అందిస్తుంది. GaN ఎపిటాక్సీ బ్యాండ్ గ్యాప్ వెడల్పు, ఉష్ణ వాహకత మరియు సిలికాన్ ఆధారిత పదార్థాలపై బ్రేక్‌డౌన్ ఎలక్ట్రిక్ ఫీల్డ్ పరంగా గణనీయమైన ప్రయోజనాలను అందిస్తుంది......
ఇంకా చదవండి
