- English
- Español
- Português
- русский
- Français
- 日本語
- Deutsch
- tiếng Việt
- Italiano
- Nederlands
- ภาษาไทย
- Polski
- 한국어
- Svenska
- magyar
- Malay
- বাংলা ভাষার
- Dansk
- Suomi
- हिन्दी
- Pilipino
- Türkçe
- Gaeilge
- العربية
- Indonesia
- Norsk
- تمل
- český
- ελληνικά
- український
- Javanese
- فارسی
- தமிழ்
- తెలుగు
- नेपाली
- Burmese
- български
- ລາວ
- Latine
- Қазақша
- Euskal
- Azərbaycan
- Slovenský jazyk
- Македонски
- Lietuvos
- Eesti Keel
- Română
- Slovenski
- मराठी
- Srpski језик
ఇండస్ట్రీ వార్తలు
ప్రారంభ వృద్ధి దశలో ఉష్ణోగ్రత ప్రవణత నియంత్రణ ద్వారా అధిక-నాణ్యత SiC క్రిస్టల్ వృద్ధిని సాధించడం
సిలికాన్ కార్బైడ్ (SiC) అనేది వైడ్-బ్యాండ్‌గ్యాప్ సెమీకండక్టర్ మెటీరియల్, ఇది అధిక-వోల్టేజ్ మరియు అధిక-ఉష్ణోగ్రత అప్లికేషన్‌లలో దాని అసాధారణ పనితీరు కారణంగా ఇటీవలి సంవత్సరాలలో గణనీయమైన దృష్టిని ఆకర్షించింది. ఈ అధ్యయనం సవరించిన ప్రక్రియ పరిస్థితులను ఉపయోగించి పెరిగిన SiC స్ఫటికాల యొక్క వివిధ లక్షణాలన......
ఇంకా చదవండి
n-టైప్ 4H-SiC స్ఫటికాలలో ఎలక్ట్రికల్ రెసిస్టివిటీ పంపిణీపై అధ్యయనం
4H-SiC, మూడవ తరం సెమీకండక్టర్ మెటీరియల్‌గా, దాని విస్తృత బ్యాండ్‌గ్యాప్, అధిక ఉష్ణ వాహకత మరియు అద్భుతమైన రసాయన మరియు ఉష్ణ స్థిరత్వానికి ప్రసిద్ధి చెందింది, ఇది అధిక-శక్తి మరియు అధిక-ఫ్రీక్వెన్సీ అనువర్తనాల్లో అత్యంత విలువైనదిగా చేస్తుంది.
ఇంకా చదవండి
