TAC పూత సగం చంద్ర భాగం

TAC సిరామిక్స్ 3880 ° C వరకు, అధిక కాఠిన్యం (MOHS కాఠిన్యం 9-10), పెద్ద ఉష్ణ వాహకత (22W · M-1 · K-1), పెద్ద బెండింగ్ బలం (340-400MPA) మరియు చిన్న ఉష్ణ విస్తరణ గుణకం (6.6 × 10-6K-1) కలిగి ఉంది. ఇవి అద్భుతమైన థర్మోకెమికల్ స్థిరత్వం మరియు అద్భుతమైన భౌతిక లక్షణాలను కూడా ప్రదర్శిస్తాయి మరియు గ్రాఫైట్ మరియు సి/సి మిశ్రమాలతో మంచి రసాయన మరియు యాంత్రిక అనుకూలతను కలిగి ఉంటాయి. అందువల్ల, ఏరోస్పేస్ థర్మల్ ప్రొటెక్షన్, సింగిల్ క్రిస్టల్ గ్రోత్, ఎనర్జీ ఎలక్ట్రానిక్స్ మరియు మెడికల్ పరికరాల్లో TAC పూతలను విస్తృతంగా ఉపయోగిస్తారు.

TAC- కోటెడ్ గ్రాఫైట్ బేర్ గ్రాఫైట్ లేదా SIC- పూతతో కూడిన గ్రాఫైట్ కంటే మెరుగైన రసాయన తుప్పు నిరోధకతను కలిగి ఉంది, 2600 of యొక్క అధిక ఉష్ణోగ్రతల వద్ద స్థిరంగా ఉపయోగించవచ్చు మరియు అనేక లోహ మూలకాలతో స్పందించదు. ఇది మూడవ తరం సెమీకండక్టర్ సింగిల్ క్రిస్టల్ పెరుగుదల మరియు పొర చెక్కడం దృశ్యాలలో ఉత్తమ పూత, మరియు ఈ ప్రక్రియలో ఉష్ణోగ్రత మరియు మలినాల నియంత్రణను గణనీయంగా మెరుగుపరుస్తుంది మరియు అధిక-నాణ్యత సిలికాన్ కార్బైడ్ పొరలు మరియు సంబంధిత ఎపిటాక్సియల్ పొరలను సిద్ధం చేస్తుంది. MOCVD పరికరాలతో GAN లేదా ALN సింగిల్ స్ఫటికాలు మరియు PVT పరికరాలతో పెరుగుతున్న SIC సింగిల్ స్ఫటికాలకు ఇది ప్రత్యేకంగా అనుకూలంగా ఉంటుంది. పెరిగిన సింగిల్ స్ఫటికాల నాణ్యత గణనీయంగా మెరుగుపడుతుంది.

ఈ ఉత్పత్తి వారి ఎపిటాక్సీ ప్రక్రియలలో ఖచ్చితత్వం, సామర్థ్యం మరియు మన్నికకు ప్రాధాన్యతనిచ్చే తయారీదారులకు అనువైన పరిష్కారం. సెమీకండక్టర్ పరిశ్రమ యొక్క అభివృద్ధి చెందుతున్న అవసరాలను తీర్చడానికి రూపొందించిన అధిక-పనితీరు గల పరిష్కారాల కోసం సెమికోరెక్స్‌ను విశ్వసించండి.