ICP సిలికాన్ కార్బన్ కోటెడ్ గ్రాఫైట్

సెమికోరెక్స్ యొక్క ICP సిలికాన్ కార్బన్ కోటెడ్ గ్రాఫైట్ అనేది డిమాండ్ వేఫర్ హ్యాండ్లింగ్ మరియు థిన్ ఫిల్మ్ డిపాజిషన్ ప్రాసెస్‌లకు అనువైన ఎంపిక. మా ఉత్పత్తి అత్యుత్తమ వేడి మరియు తుప్పు నిరోధకత, ఉష్ణ ఏకరూపత మరియు సరైన లామినార్ గ్యాస్ ప్రవాహ నమూనాలను కలిగి ఉంటుంది.

విచారణ పంపండి

ఉత్పత్తి వివరణ

ఎపిటాక్సియల్ గ్రోత్ ప్రాసెసింగ్‌లో ఉపయోగించే పొర క్యారియర్‌లు అధిక ఉష్ణోగ్రతలు మరియు కఠినమైన రసాయన శుభ్రతను తట్టుకోవాలి. సెమికోరెక్స్ ICP సిలికాన్ కార్బన్ కోటెడ్ గ్రాఫైట్ ససెప్టర్‌లు ఈ డిమాండింగ్ ఎపిటాక్సీ పరికరాల అప్లికేషన్‌ల కోసం ప్రత్యేకంగా రూపొందించబడ్డాయి. మా ఉత్పత్తి అధిక ఉష్ణోగ్రతలు మరియు కఠినమైన రసాయన క్లీనింగ్‌ను తట్టుకునేలా రూపొందించబడింది, దీర్ఘాయువు మరియు సరైన ఫలితాలను అందిస్తుంది.
మా ICP సిలికాన్ కార్బన్ కోటెడ్ గ్రాఫైట్ ఉత్తమ లామినార్ గ్యాస్ ప్రవాహ నమూనాను సాధించడానికి రూపొందించబడింది, థర్మల్ ప్రొఫైల్ యొక్క సమానత్వాన్ని నిర్ధారిస్తుంది. ఇది వేఫర్ చిప్‌పై అధిక-నాణ్యత ఎపిటాక్సియల్ పెరుగుదలను నిర్ధారిస్తూ, ఏదైనా కాలుష్యం లేదా మలినాలను వ్యాపించకుండా నిరోధించడంలో సహాయపడుతుంది.
మా ICP సిలికాన్ కార్బన్ కోటెడ్ గ్రాఫైట్ గురించి మరింత తెలుసుకోవడానికి ఈరోజే మమ్మల్ని సంప్రదించండి.

ICP సిలికాన్ కార్బన్ కోటెడ్ గ్రాఫైట్ యొక్క పారామితులు

CVD-SIC కోటింగ్ యొక్క ప్రధాన లక్షణాలు
SiC-CVD లక్షణాలు
క్రిస్టల్ నిర్మాణం	FCC β దశ
సాంద్రత	g/cm ³	3.21
కాఠిన్యం	వికర్స్ కాఠిన్యం	2500
ధాన్యం పరిమాణం	μm	2~10
రసాయన స్వచ్ఛత	%	99.99995
ఉష్ణ సామర్థ్యం	J kg-1 K-1	640
సబ్లిమేషన్ ఉష్ణోగ్రత	℃	2700
Felexural బలం	MPa (RT 4-పాయింట్)	415
యంగ్స్ మాడ్యులస్	Gpa (4pt బెండ్, 1300℃)	430
థర్మల్ విస్తరణ (C.T.E)	10-6K-1	4.5
ఉష్ణ వాహకత	(W/mK)	300