ఉత్పత్తులు
SiC కోటెడ్ ICP ఎచింగ్ క్యారియర్
  • SiC కోటెడ్ ICP ఎచింగ్ క్యారియర్SiC కోటెడ్ ICP ఎచింగ్ క్యారియర్
  • SiC కోటెడ్ ICP ఎచింగ్ క్యారియర్SiC కోటెడ్ ICP ఎచింగ్ క్యారియర్
  • SiC కోటెడ్ ICP ఎచింగ్ క్యారియర్SiC కోటెడ్ ICP ఎచింగ్ క్యారియర్

SiC కోటెడ్ ICP ఎచింగ్ క్యారియర్

సెమికోరెక్స్ SiC కోటెడ్ ICP ఎచింగ్ క్యారియర్ చైనాలో అధిక వేడి మరియు తుప్పు నిరోధకత కలిగిన ఎపిటాక్సీ పరికరాల కోసం ప్రత్యేకంగా రూపొందించబడింది. మా ఉత్పత్తులు మంచి ధర ప్రయోజనాన్ని కలిగి ఉన్నాయి మరియు అనేక యూరోపియన్ మరియు అమెరికన్ మార్కెట్‌లను కవర్ చేస్తాయి. చైనాలో మీ దీర్ఘకాలిక భాగస్వామిగా మారేందుకు మేము ఎదురుచూస్తున్నాము.

విచారణ పంపండి

ఉత్పత్తి వివరణ

ఎపిటాక్సీ లేదా MOCVD వంటి థిన్ ఫిల్మ్ డిపాజిషన్ ఫేజ్‌లలో ఉపయోగించే వేఫర్ క్యారియర్‌లు లేదా ఎచింగ్ వంటి వేఫర్ హ్యాండ్లింగ్ ప్రాసెసింగ్‌లు అధిక ఉష్ణోగ్రతలు మరియు కఠినమైన రసాయన క్లీనింగ్‌ను భరించాలి. సెమికోరెక్స్ అధిక-స్వచ్ఛత కలిగిన SiC కోటెడ్ ICP ఎచింగ్ క్యారియర్ అధిక ఉష్ణ నిరోధకతను అందిస్తుంది, స్థిరమైన ఎపి లేయర్ మందం మరియు నిరోధకత కోసం ఉష్ణ ఏకరూపత మరియు మన్నికైన రసాయన నిరోధకతను అందిస్తుంది. ఫైన్ SiC క్రిస్టల్ పూత శుభ్రమైన, మృదువైన ఉపరితలాన్ని అందిస్తుంది, సహజమైన పొరలు వాటి మొత్తం ప్రాంతంలోని అనేక పాయింట్ల వద్ద ససెప్టర్‌ను సంప్రదిస్తాయి కాబట్టి నిర్వహణకు కీలకం.

మా SiC కోటెడ్ ICP ఎచింగ్ క్యారియర్ ఉత్తమ లామినార్ గ్యాస్ ప్రవాహ నమూనాను సాధించడానికి రూపొందించబడింది, ఇది థర్మల్ ప్రొఫైల్ యొక్క సమానత్వాన్ని నిర్ధారిస్తుంది. ఇది వేఫర్ చిప్‌పై అధిక-నాణ్యత ఎపిటాక్సియల్ పెరుగుదలను నిర్ధారిస్తూ, ఏదైనా కాలుష్యం లేదా మలినాలను వ్యాపించకుండా నిరోధించడంలో సహాయపడుతుంది.

మా SiC కోటెడ్ ICP ఎచింగ్ క్యారియర్ గురించి మరింత తెలుసుకోవడానికి ఈరోజే మమ్మల్ని సంప్రదించండి.


SiC కోటెడ్ ICP ఎచింగ్ క్యారియర్ యొక్క పారామితులు

CVD-SIC కోటింగ్ యొక్క ప్రధాన లక్షణాలు

SiC-CVD లక్షణాలు

క్రిస్టల్ నిర్మాణం

FCC β దశ

సాంద్రత

g/cm ³

3.21

కాఠిన్యం

వికర్స్ కాఠిన్యం

2500

ధాన్యం పరిమాణం

μm

2~10

రసాయన స్వచ్ఛత

%

99.99995

Heat Capacity

J kg-1 K-1

640

సబ్లిమేషన్ ఉష్ణోగ్రత

2700

Felexural బలం

MPa (RT 4-పాయింట్)

415

యంగ్స్ మాడ్యులస్

Gpa (4pt బెండ్, 1300℃)

430

థర్మల్ విస్తరణ (C.T.E)

10-6K-1

4.5

ఉష్ణ వాహకత

(W/mK)

300


అధిక స్వచ్ఛత SiC కోటెడ్ ICP ఎచింగ్ క్యారియర్ యొక్క లక్షణాలు

- పై తొక్కను నివారించండి మరియు అన్ని ఉపరితలంపై పూత ఉండేలా చూసుకోండి

అధిక ఉష్ణోగ్రత ఆక్సీకరణ నిరోధకత: 1600 ° C వరకు అధిక ఉష్ణోగ్రతల వద్ద స్థిరంగా ఉంటుంది

అధిక స్వచ్ఛత: అధిక ఉష్ణోగ్రత క్లోరినేషన్ పరిస్థితుల్లో CVD రసాయన ఆవిరి నిక్షేపణ ద్వారా తయారు చేయబడింది.

తుప్పు నిరోధకత: అధిక కాఠిన్యం, దట్టమైన ఉపరితలం మరియు చక్కటి కణాలు.

తుప్పు నిరోధకత: యాసిడ్, క్షార, ఉప్పు మరియు సేంద్రీయ కారకాలు.

- ఉత్తమ లామినార్ గ్యాస్ ఫ్లో నమూనాను సాధించండి

- థర్మల్ ప్రొఫైల్ యొక్క సమానత్వానికి హామీ ఇవ్వండి

- ఏదైనా కాలుష్యం లేదా మలినాలు వ్యాప్తి చెందకుండా నిరోధించండి




హాట్ ట్యాగ్‌లు: SiC కోటెడ్ ICP ఎచింగ్ క్యారియర్, చైనా, తయారీదారులు, సరఫరాదారులు, ఫ్యాక్టరీ, అనుకూలీకరించిన, బల్క్, అధునాతన, మన్నికైనది
సంబంధిత వర్గం
విచారణ పంపండి
దయచేసి దిగువ ఫారమ్‌లో మీ విచారణను ఇవ్వడానికి సంకోచించకండి. మేము మీకు 24 గంటల్లో ప్రత్యుత్తరం ఇస్తాము.
X
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept