SiC కోటెడ్ ICP ఎచింగ్ క్యారియర్

సెమికోరెక్స్ SiC కోటెడ్ ICP ఎచింగ్ క్యారియర్ చైనాలో అధిక వేడి మరియు తుప్పు నిరోధకత కలిగిన ఎపిటాక్సీ పరికరాల కోసం ప్రత్యేకంగా రూపొందించబడింది. మా ఉత్పత్తులు మంచి ధర ప్రయోజనాన్ని కలిగి ఉన్నాయి మరియు అనేక యూరోపియన్ మరియు అమెరికన్ మార్కెట్‌లను కవర్ చేస్తాయి. చైనాలో మీ దీర్ఘకాలిక భాగస్వామిగా మారేందుకు మేము ఎదురుచూస్తున్నాము.

విచారణ పంపండి

ఉత్పత్తి వివరణ

ఎపిటాక్సీ లేదా MOCVD వంటి థిన్ ఫిల్మ్ డిపాజిషన్ ఫేజ్‌లలో ఉపయోగించే వేఫర్ క్యారియర్‌లు లేదా ఎచింగ్ వంటి వేఫర్ హ్యాండ్లింగ్ ప్రాసెసింగ్‌లు అధిక ఉష్ణోగ్రతలు మరియు కఠినమైన రసాయన క్లీనింగ్‌ను భరించాలి. సెమికోరెక్స్ అధిక-స్వచ్ఛత కలిగిన SiC కోటెడ్ ICP ఎచింగ్ క్యారియర్ అధిక ఉష్ణ నిరోధకతను అందిస్తుంది, స్థిరమైన ఎపి లేయర్ మందం మరియు నిరోధకత కోసం ఉష్ణ ఏకరూపత మరియు మన్నికైన రసాయన నిరోధకతను అందిస్తుంది. ఫైన్ SiC క్రిస్టల్ పూత శుభ్రమైన, మృదువైన ఉపరితలాన్ని అందిస్తుంది, సహజమైన పొరలు వాటి మొత్తం ప్రాంతంలోని అనేక పాయింట్ల వద్ద ససెప్టర్‌ను సంప్రదిస్తాయి కాబట్టి నిర్వహణకు కీలకం.

మా SiC కోటెడ్ ICP ఎచింగ్ క్యారియర్ ఉత్తమ లామినార్ గ్యాస్ ప్రవాహ నమూనాను సాధించడానికి రూపొందించబడింది, ఇది థర్మల్ ప్రొఫైల్ యొక్క సమానత్వాన్ని నిర్ధారిస్తుంది. ఇది వేఫర్ చిప్‌పై అధిక-నాణ్యత ఎపిటాక్సియల్ పెరుగుదలను నిర్ధారిస్తూ, ఏదైనా కాలుష్యం లేదా మలినాలను వ్యాపించకుండా నిరోధించడంలో సహాయపడుతుంది.

మా SiC కోటెడ్ ICP ఎచింగ్ క్యారియర్ గురించి మరింత తెలుసుకోవడానికి ఈరోజే మమ్మల్ని సంప్రదించండి.

SiC కోటెడ్ ICP ఎచింగ్ క్యారియర్ యొక్క పారామితులు

CVD-SIC కోటింగ్ యొక్క ప్రధాన లక్షణాలు
SiC-CVD లక్షణాలు
క్రిస్టల్ నిర్మాణం	FCC β దశ
సాంద్రత	g/cm ³	3.21
కాఠిన్యం	వికర్స్ కాఠిన్యం	2500
ధాన్యం పరిమాణం	μm	2~10
రసాయన స్వచ్ఛత	%	99.99995
Heat Capacity	J kg-1 K-1	640
సబ్లిమేషన్ ఉష్ణోగ్రత	℃	2700
Felexural బలం	MPa (RT 4-పాయింట్)	415
యంగ్స్ మాడ్యులస్	Gpa (4pt బెండ్, 1300℃)	430
థర్మల్ విస్తరణ (C.T.E)	10-6K-1	4.5
ఉష్ణ వాహకత	(W/mK)	300