ఇండక్టివ్లీ-కపుల్డ్ ప్లాస్మా (ICP) కోసం సెమికోరెక్స్ యొక్క సిలికాన్ కార్బైడ్ కోటెడ్ ససెప్టర్ ఎపిటాక్సీ మరియు MOCVD వంటి అధిక-ఉష్ణోగ్రత పొర నిర్వహణ ప్రక్రియల కోసం ప్రత్యేకంగా రూపొందించబడింది. 1600°C వరకు స్థిరమైన, అధిక-ఉష్ణోగ్రత ఆక్సీకరణ నిరోధకతతో, మా క్యారియర్లు థర్మల్ ప్రొఫైల్లు, లామినార్ గ్యాస్ ప్రవాహ నమూనాలను కూడా నిర్ధారిస్తాయి మరియు కాలుష్యం లేదా మలినాలను వ్యాప్తి చేయడాన్ని నివారిస్తాయి.
అధిక-ఉష్ణోగ్రత, కఠినమైన రసాయన వాతావరణాలను నిర్వహించగల పొర క్యారియర్ కావాలా? ఇండక్టివ్లీ-కపుల్డ్ ప్లాస్మా (ICP) కోసం సెమికోరెక్స్ యొక్క సిలికాన్ కార్బైడ్ కోటెడ్ ససెప్టర్ కంటే ఎక్కువ వెతకకండి. మా క్యారియర్లు చక్కటి SiC క్రిస్టల్ కోటింగ్ను కలిగి ఉంటాయి, ఇది అత్యుత్తమ ఉష్ణ నిరోధకత, ఉష్ణ ఏకరూపత మరియు మన్నికైన రసాయన నిరోధకతను అందిస్తుంది.
ఇండక్టివ్లీ-కపుల్డ్ ప్లాస్మా (ICP) కోసం మా SiC ససెప్టర్ గురించి మరింత తెలుసుకోవడానికి ఈరోజే మమ్మల్ని సంప్రదించండి.
ఇండక్టివ్లీ-కపుల్డ్ ప్లాస్మా (ICP) కొరకు ససెప్టర్ యొక్క పారామితులు
CVD-SIC కోటింగ్ యొక్క ప్రధాన లక్షణాలు |
||
SiC-CVD లక్షణాలు |
||
క్రిస్టల్ నిర్మాణం |
FCC β దశ |
|
సాంద్రత |
g/cm ³ |
3.21 |
కాఠిన్యం |
వికర్స్ కాఠిన్యం |
2500 |
ధాన్యం పరిమాణం |
μm |
2~10 |
రసాయన స్వచ్ఛత |
% |
99.99995 |
ఉష్ణ సామర్థ్యం |
J kg-1 K-1 |
640 |
సబ్లిమేషన్ ఉష్ణోగ్రత |
℃ |
2700 |
Felexural బలం |
MPa (RT 4-పాయింట్) |
415 |
యంగ్స్ మాడ్యులస్ |
Gpa (4pt బెండ్, 1300℃) |
430 |
థర్మల్ విస్తరణ (C.T.E) |
10-6K-1 |
4.5 |
ఉష్ణ వాహకత |
(W/mK) |
300 |
ఇండక్టివ్లీ-కపుల్డ్ ప్లాస్మా (ICP) కోసం సిలికాన్ కార్బైడ్ కోటెడ్ ససెప్టర్ యొక్క లక్షణాలు
- పై తొక్కను నివారించండి మరియు అన్ని ఉపరితలంపై పూత ఉండేలా చూసుకోండి
అధిక ఉష్ణోగ్రత ఆక్సీకరణ నిరోధకత: 1600 ° C వరకు అధిక ఉష్ణోగ్రతల వద్ద స్థిరంగా ఉంటుంది
అధిక స్వచ్ఛత: అధిక ఉష్ణోగ్రత క్లోరినేషన్ పరిస్థితుల్లో CVD రసాయన ఆవిరి నిక్షేపణ ద్వారా తయారు చేయబడింది.
తుప్పు నిరోధకత: అధిక కాఠిన్యం, దట్టమైన ఉపరితలం మరియు చక్కటి కణాలు.
తుప్పు నిరోధకత: యాసిడ్, క్షార, ఉప్పు మరియు సేంద్రీయ కారకాలు.
- ఉత్తమ లామినార్ గ్యాస్ ఫ్లో నమూనాను సాధించండి
- థర్మల్ ప్రొఫైల్ యొక్క సమానత్వానికి హామీ ఇవ్వండి
- ఏదైనా కాలుష్యం లేదా మలినాలు వ్యాప్తి చెందకుండా నిరోధించండి