- English
- Español
- Português
- русский
- Français
- 日本語
- Deutsch
- tiếng Việt
- Italiano
- Nederlands
- ภาษาไทย
- Polski
- 한국어
- Svenska
- magyar
- Malay
- বাংলা ভাষার
- Dansk
- Suomi
- हिन्दी
- Pilipino
- Türkçe
- Gaeilge
- العربية
- Indonesia
- Norsk
- تمل
- český
- ελληνικά
- український
- Javanese
- فارسی
- தமிழ்
- తెలుగు
- नेपाली
- Burmese
- български
- ລາວ
- Latine
- Қазақша
- Euskal
- Azərbaycan
- Slovenský jazyk
- Македонски
- Lietuvos
- Eesti Keel
- Română
- Slovenski
- मराठी
- Srpski језик
ఇండస్ట్రీ వార్తలు
GaN సింగిల్ క్రిస్టల్
సెమీకండక్టర్ టెక్నాలజీ ఆధునిక నాగరికతకు వెన్నెముకగా ఉంది, మనం జీవించే, పని చేసే మరియు ప్రపంచంతో పరస్పర చర్య చేసే విధానాన్ని ప్రాథమికంగా మారుస్తుంది. ఇది ఇన్ఫర్మేషన్ టెక్నాలజీ, ఎనర్జీ, టెలికమ్యూనికేషన్స్ మరియు హెల్త్‌కేర్‌తో సహా వివిధ రంగాలలో అపూర్వమైన పురోగతిని సాధించింది. మన స్మార్ట్‌ఫోన్‌లు మరియు ......
ఇంకా చదవండి
SiC సెరామిక్స్: సెమీకండక్టర్ తయారీలో హై-ప్రెసిషన్ కాంపోనెంట్స్ కోసం అనివార్యమైన మెటీరియల్
ఆధునిక సాంకేతిక పురోగతికి మూలస్తంభమైన సెమీకండక్టర్ తయారీ, చిన్న, వేగవంతమైన మరియు మరింత సమర్థవంతమైన ఇంటిగ్రేటెడ్ సర్క్యూట్‌ల కోసం నిరంతరం అన్వేషణలో ఉంది. ఈ కనికరంలేని అన్వేషణ మరింత ఖచ్చితమైన మరియు అధునాతన తయారీ ప్రక్రియల అవసరాన్ని నడిపిస్తుంది, ఇక్కడ ప్రతి దశ అధిక-పనితీరు, అధిక-నాణ్యత మరియు అధిక-ఖచ్చ......
ఇంకా చదవండి
3C-SiC యొక్క హెటెరోపిటాక్సీ: ఒక అవలోకనం
3C-SiC అభివృద్ధి, సిలికాన్ కార్బైడ్ యొక్క ముఖ్యమైన పాలిటైప్, సెమీకండక్టర్ మెటీరియల్ సైన్స్ యొక్క నిరంతర పురోగతిని ప్రతిబింబిస్తుంది. 1980లలో, నిషినో మరియు ఇతరులు. రసాయన ఆవిరి నిక్షేపణ (CVD)[1]ని ఉపయోగించి సిలికాన్ సబ్‌స్ట్రేట్‌పై మొదట 4 μm మందపాటి 3C-SiC ఫిల్మ్‌ను సాధించింది, 3C-SiC థిన్-ఫిల్మ్ టెక్......
ఇంకా చదవండి
