సిలికాన్ కార్బైడ్ సబ్స్ట్రేట్ అనేది కార్బన్ మరియు సిలికాన్ అనే రెండు మూలకాలతో కూడిన కాంపౌండ్ సెమీకండక్టర్ సింగిల్ క్రిస్టల్ మెటీరియల్. ఇది పెద్ద బ్యాండ్గ్యాప్, అధిక ఉష్ణ వాహకత, అధిక క్లిష్టమైన బ్రేక్డౌన్ ఫీల్డ్ బలం మరియు అధిక ఎలక్ట్రాన్ సంతృప్త డ్రిఫ్ట్ రేట్ లక్షణాలను కలిగి ఉంది.
ఇంకా చదవండిసిలికాన్ కార్బైడ్ (SiC) పరిశ్రమ గొలుసులో, సబ్స్ట్రేట్ సరఫరాదారులు గణనీయమైన పరపతిని కలిగి ఉన్నారు, ప్రధానంగా విలువ పంపిణీ కారణంగా. SiC సబ్స్ట్రెట్లు మొత్తం విలువలో 47% వాటాను కలిగి ఉంటాయి, తర్వాత 23% వద్ద ఎపిటాక్సియల్ లేయర్లు ఉంటాయి, అయితే పరికరం రూపకల్పన మరియు తయారీ మిగిలిన 30%. ఈ విలోమ విలువ గొ......
ఇంకా చదవండిSiC MOSFETలు అధిక శక్తి సాంద్రత, మెరుగైన సామర్థ్యం మరియు అధిక ఉష్ణోగ్రతల వద్ద తక్కువ వైఫల్య రేట్లు అందించే ట్రాన్సిస్టర్లు. SiC MOSFETల యొక్క ఈ ప్రయోజనాలు ఎక్కువ డ్రైవింగ్ పరిధి, వేగవంతమైన ఛార్జింగ్ మరియు తక్కువ ఖర్చుతో కూడిన బ్యాటరీ ఎలక్ట్రిక్ వాహనాలు (BEVలు) సహా ఎలక్ట్రిక్ వాహనాలకు (EVలు) అనేక ప్......
ఇంకా చదవండిసెమీకండక్టర్ మెటీరియల్స్ యొక్క మొదటి తరం ప్రధానంగా సిలికాన్ (Si) మరియు జెర్మేనియం (Ge) ద్వారా ప్రాతినిధ్యం వహిస్తుంది, ఇది 1950 లలో పెరగడం ప్రారంభమైంది. ప్రారంభ రోజుల్లో జెర్మేనియం ప్రబలంగా ఉంది మరియు ప్రధానంగా తక్కువ-వోల్టేజ్, తక్కువ-ఫ్రీక్వెన్సీ, మీడియం-పవర్ ట్రాన్సిస్టర్లు మరియు ఫోటోడెటెక్టర్లల......
ఇంకా చదవండిఒక క్రిస్టల్ లాటిస్ మరొకదానికి దాదాపు ఒకేలాంటి లాటిస్ స్థిరాంకాలను కలిగి ఉన్నప్పుడు లోపం లేని ఎపిటాక్సియల్ పెరుగుదల సంభవిస్తుంది. ఇంటర్ఫేస్ ప్రాంతంలోని రెండు లాటిస్ల జాలక సైట్లు సుమారుగా సరిపోలినప్పుడు వృద్ధి జరుగుతుంది, ఇది చిన్న లాటిస్ అసమతుల్యతతో (0.1% కంటే తక్కువ) సాధ్యమవుతుంది. ఈ ఉజ్జాయింపు ......
ఇంకా చదవండి