SiC పూతతో కూడిన గ్రాఫైట్ ట్రే

ఎపిటాక్సియల్ పరికరాల యొక్క ప్రాథమిక అంశంగా, దిSiC పూతతో కూడిన గ్రాఫైట్ ట్రే, ఎపిటాక్సియల్ పొర పెరుగుదల యొక్క ఉత్పత్తి సామర్థ్యం, ​​ఏకరూపత మరియు లోపం రేటును నేరుగా ప్రభావితం చేస్తుంది.    

గ్రాఫైట్ శుద్దీకరణ, ఖచ్చితమైన ప్రాసెసింగ్ మరియు శుభ్రపరిచే చికిత్స ద్వారా, గ్రాఫైట్ సబ్‌స్ట్రేట్ యొక్క ఉపరితలం అద్భుతమైన ఫ్లాట్‌నెస్ మరియు మృదుత్వాన్ని సాధించగలదు, కణ కాలుష్య ప్రమాదాన్ని విజయవంతంగా నివారిస్తుంది. రసాయన ఆవిరి నిక్షేపణ ద్వారా, గ్రాఫైట్ సబ్‌స్ట్రేట్ యొక్క ఉపరితలం రియాక్టివ్ గ్యాస్‌తో రసాయన ప్రతిచర్యకు లోనవుతుంది, దట్టమైన, రంధ్రాల రహిత మరియు ఏకరీతి మందపాటి సిలికాన్ కార్బైడ్ (SiC) పూతను ఉత్పత్తి చేస్తుంది. సబ్‌స్ట్రేట్ తయారీ నుండి పూత చికిత్స వరకు, మొత్తం ఉత్పత్తి ప్రక్రియ 100 తరగతి క్లీన్‌రూమ్‌లో నిర్వహించబడుతుంది, ఇది సెమీకండక్టర్లకు తగిన పరిశుభ్రత ప్రమాణాలను సంతృప్తిపరుస్తుంది.

అధిక-స్వచ్ఛత తక్కువ-అశుద్ధ గ్రాఫైట్ మరియు SiC పదార్థాలతో తయారు చేయబడిన SiC కోటెడ్ గ్రాఫైట్ ట్రే, అద్భుతమైన ఉష్ణ వాహకత మరియు ఉష్ణ విస్తరణ యొక్క తక్కువ గుణకం కలిగి ఉంటుంది. ఇది ఎపిటాక్సియల్ లేయర్ యొక్క పెరుగుదల నాణ్యతను మెరుగుపరచడానికి వేగంగా మరియు ఏకరీతిలో వేడిని బదిలీ చేయడానికి SiC-పూతతో కూడిన గ్రాఫైట్ ట్రేని ఎనేబుల్ చేయడమే కాకుండా, ఉష్ణ ఒత్తిడి కారణంగా పూత షెడ్డింగ్ లేదా క్రాకింగ్ ప్రమాదాన్ని కూడా సమర్థవంతంగా తగ్గిస్తుంది. అదనంగా, ఏకరీతి మరియు దట్టమైన SiC పూత అధిక ఉష్ణోగ్రతలు, ఆక్సీకరణ మరియు తుప్పుకు నిరోధకతను కలిగి ఉంటుంది, అధిక-ఉష్ణోగ్రత మరియు తినివేయు వాయువు పరిస్థితులలో చాలా కాలం పాటు స్థిరమైన ఆపరేషన్‌ను నిర్ధారిస్తుంది.

SiC పూతతో కూడిన గ్రాఫైట్ ట్రే లోహ-సేంద్రీయ రసాయన ఆవిరి నిక్షేపణ (MOCVD) పరికరాలతో అధిక అనుకూలతను కలిగి ఉంటుంది. ఇది ఖచ్చితమైన పరిమాణంలో ఉంది మరియు విభిన్న ప్రక్రియ పారామితులు మరియు పరికరాల అవసరాలకు అనుగుణంగా రూపొందించబడింది. SiC కోటెడ్ గ్రాఫైట్ ట్రే యొక్క వివిధ పరిమాణాలు, పూత మందాలు మరియు ఉపరితల కరుకుదనం కోసం వారి అవసరాలను ఖచ్చితంగా తీర్చడానికి మా విలువైన కస్టమర్‌లకు ప్రొఫెషనల్ టైలర్డ్ సేవలను అందించాలని Semicorex ఎల్లప్పుడూ నొక్కి చెబుతుంది.