సెమికోరెక్స్ యొక్క ICP ఎచింగ్ క్యారియర్ ప్లేట్ అనేది డిమాండ్ వేఫర్ హ్యాండ్లింగ్ మరియు థిన్ ఫిల్మ్ డిపాజిషన్ ప్రాసెస్లకు సరైన పరిష్కారం. మా ఉత్పత్తి ఉన్నతమైన వేడి మరియు తుప్పు నిరోధకత, ఉష్ణ ఏకరూపత మరియు లామినార్ గ్యాస్ ప్రవాహ నమూనాలను కూడా అందిస్తుంది. శుభ్రమైన మరియు మృదువైన ఉపరితలంతో, మా క్యారియర్ సహజమైన పొరలను నిర్వహించడానికి సరైనది.
సెమికోరెక్స్ యొక్క ICP ఎచింగ్ క్యారియర్ ప్లేట్ వేఫర్ హ్యాండ్లింగ్ మరియు థిన్ ఫిల్మ్ డిపాజిషన్ ప్రాసెస్ల కోసం అద్భుతమైన మన్నిక మరియు దీర్ఘాయువును అందిస్తుంది. మా ఉత్పత్తి అత్యుత్తమ వేడి మరియు తుప్పు నిరోధకత, ఉష్ణ ఏకరూపత మరియు లామినార్ గ్యాస్ ప్రవాహ నమూనాలను కూడా కలిగి ఉంది. శుభ్రమైన మరియు మృదువైన ఉపరితలంతో, మా క్యారియర్ సహజమైన పొరల యొక్క సరైన నిర్వహణను నిర్ధారిస్తుంది. అధిక ఉష్ణోగ్రత, రసాయన శుభ్రపరచడం, అలాగే అధిక ఉష్ణ ఏకరూపతను ఉపసంహరించుకోండి.
మా ICP ఎచింగ్ క్యారియర్ ప్లేట్ గురించి మరింత తెలుసుకోవడానికి ఈరోజే మమ్మల్ని సంప్రదించండి.
ICP ఎచింగ్ క్యారియర్ ప్లేట్ యొక్క పారామితులు
CVD-SIC కోటింగ్ యొక్క ప్రధాన లక్షణాలు |
||
SiC-CVD లక్షణాలు |
||
క్రిస్టల్ నిర్మాణం |
FCC β దశ |
|
సాంద్రత |
g/cm ³ |
3.21 |
కాఠిన్యం |
వికర్స్ కాఠిన్యం |
2500 |
ధాన్యం పరిమాణం |
μm |
2~10 |
రసాయన స్వచ్ఛత |
% |
99.99995 |
ఉష్ణ సామర్థ్యం |
J kg-1 K-1 |
640 |
సబ్లిమేషన్ ఉష్ణోగ్రత |
℃ |
2700 |
Felexural బలం |
MPa (RT 4-పాయింట్) |
415 |
యంగ్స్ మాడ్యులస్ |
Gpa (4pt బెండ్, 1300℃) |
430 |
థర్మల్ విస్తరణ (C.T.E) |
10-6K-1 |
4.5 |
ఉష్ణ వాహకత |
(W/mK) |
300 |
ICP ఎచింగ్ క్యారియర్ ప్లేట్ యొక్క లక్షణాలు
- పై తొక్కను నివారించండి మరియు అన్ని ఉపరితలంపై పూత ఉండేలా చూసుకోండి
అధిక ఉష్ణోగ్రత ఆక్సీకరణ నిరోధకత: 1600 ° C వరకు అధిక ఉష్ణోగ్రతల వద్ద స్థిరంగా ఉంటుంది
అధిక స్వచ్ఛత: అధిక ఉష్ణోగ్రత క్లోరినేషన్ పరిస్థితుల్లో CVD రసాయన ఆవిరి నిక్షేపణ ద్వారా తయారు చేయబడింది.
తుప్పు నిరోధకత: అధిక కాఠిన్యం, దట్టమైన ఉపరితలం మరియు చక్కటి కణాలు.
తుప్పు నిరోధకత: యాసిడ్, క్షార, ఉప్పు మరియు సేంద్రీయ కారకాలు.
- ఉత్తమ లామినార్ గ్యాస్ ఫ్లో నమూనాను సాధించండి
- థర్మల్ ప్రొఫైల్ యొక్క సమానత్వానికి హామీ ఇవ్వండి
- ఏదైనా కాలుష్యం లేదా మలినాలు వ్యాప్తి చెందకుండా నిరోధించండి