వేఫర్ క్యారియర్

· అద్భుతమైన ఉష్ణ వాహకత: సమర్థవంతమైన ఉష్ణ బదిలీని సులభతరం చేయడం, సెమీకండక్టర్ ఎపిటాక్సియల్ వృద్ధి ప్రక్రియల సమయంలో అవసరం.

· అధిక-ఉష్ణోగ్రత నిరోధకత: SiC పూత విపరీతమైన వేడి వాతావరణాలను తట్టుకుంటుంది, రియాక్టర్‌లోని థర్మల్ సైక్లింగ్ అంతటా క్యారియర్ దాని పనితీరును నిర్ధారిస్తుంది.

· రసాయన తుప్పు నిరోధకత: ఎపిటాక్సీ సమయంలో తరచుగా ఎదుర్కొనే రియాక్టివ్ వాయువుల నుండి ఆక్సీకరణ మరియు తుప్పుకు క్యారియర్ యొక్క నిరోధకతను SiC పూత గణనీయంగా మెరుగుపరుస్తుంది.

· డైమెన్షనల్ స్టెబిలిటీ: SiC మరియు గ్రాఫైట్ కలయిక వలన క్యారియర్ దాని ఆకారాన్ని మరియు ఖచ్చితత్వాన్ని కాలక్రమేణా నిలుపుకుంటుంది, సుదీర్ఘ ప్రక్రియ పరుగుల సమయంలో రూపాంతరం చెందే ప్రమాదాన్ని తగ్గిస్తుంది.

సెమీకండక్టర్ ఎపిటాక్సీ గ్రోత్‌లో అప్లికేషన్‌లు

ఎపిటాక్సీ అనేది సెమీకండక్టర్ పదార్థం యొక్క పలుచని పొరను ఒక ఉపరితలంపై, సాధారణంగా పొరపై నిక్షిప్తం చేసి, ఒక క్రిస్టల్ లాటిస్ నిర్మాణాన్ని ఏర్పరుస్తుంది. ఈ ప్రక్రియలో, ఖచ్చితత్వపు పొరను నిర్వహించడం చాలా కీలకం, ఎందుకంటే పొరల స్థానానికి సంబంధించిన చిన్న వ్యత్యాసాలు కూడా పొర నిర్మాణంలో లోపాలు లేదా వైవిధ్యాలకు దారితీయవచ్చు.

ఈ ప్రక్రియలో సెమీకండక్టర్ పొరలను సురక్షితంగా ఉంచి, సరిగ్గా ఉంచేలా చేయడంలో వేఫర్ క్యారియర్ కీలక పాత్ర పోషిస్తుంది. SiC-కోటెడ్ గ్రాఫైట్ కలయిక సిలికాన్ కార్బైడ్ (SiC) ఎపిటాక్సీకి అవసరమైన పనితీరు లక్షణాలను అందిస్తుంది, ఈ ప్రక్రియలో పవర్ ఎలక్ట్రానిక్స్, ఆప్టోఎలక్ట్రానిక్స్ మరియు ఇతర అధునాతన సెమీకండక్టర్ అప్లికేషన్‌లలో ఉపయోగించడం కోసం అధిక స్వచ్ఛత కలిగిన SiC స్ఫటికాలు పెరుగుతాయి.

ప్రత్యేకంగా, వేఫర్ క్యారియర్:

· ఖచ్చితమైన పొర అమరికను అందిస్తుంది: పొర అంతటా ఎపిటాక్సియల్ పొర పెరుగుదలలో ఏకరూపతను నిర్ధారించడం, ఇది పరికరం దిగుబడి మరియు పనితీరుకు కీలకం.

· ఉష్ణ చక్రాలను తట్టుకుంటుంది: SiC-పూతతో కూడిన గ్రాఫైట్ 2000°C వరకు అధిక-ఉష్ణోగ్రత వాతావరణంలో కూడా స్థిరంగా మరియు విశ్వసనీయంగా ఉంటుంది, ప్రక్రియ అంతటా స్థిరమైన పొర నిర్వహణను నిర్ధారిస్తుంది.

· పొర కాలుష్యాన్ని తగ్గిస్తుంది: క్యారియర్ యొక్క అధిక-స్వచ్ఛత మెటీరియల్ కంపోజిషన్ ఎపిటాక్సియల్ గ్రోత్ ప్రాసెస్ సమయంలో పొర అవాంఛిత కలుషితాలకు గురికాకుండా నిర్ధారిస్తుంది.

సెమీకండక్టర్ ఎపిటాక్సీ రియాక్టర్లలో, వేఫర్ క్యారియర్ రియాక్టర్ చాంబర్‌లో ఉంచబడుతుంది, ఇక్కడ ఇది పొరకు మద్దతు వేదికగా పనిచేస్తుంది. క్యారియర్ పొర యొక్క సమగ్రతను రాజీ పడకుండా ఎపిటాక్సియల్ గ్రోత్ ప్రాసెస్‌లో ఉపయోగించే అధిక ఉష్ణోగ్రతలు మరియు రియాక్టివ్ వాయువులకు పొరను బహిర్గతం చేయడానికి అనుమతిస్తుంది. SiC పూత వాయువులతో రసాయన పరస్పర చర్యలను నిరోధిస్తుంది, అధిక-నాణ్యత, లోపం లేని పదార్థం యొక్క పెరుగుదలను నిర్ధారిస్తుంది.

SiC కోటెడ్ గ్రాఫైట్ వేఫర్ క్యారియర్ యొక్క ప్రయోజనాలు

1. మెరుగైన మన్నిక: SiC పూత గ్రాఫైట్ మెటీరియల్ యొక్క దుస్తులు నిరోధకతను పెంచుతుంది, బహుళ ఉపయోగాలలో క్షీణత ప్రమాదాన్ని తగ్గిస్తుంది.

2. అధిక-ఉష్ణోగ్రత స్థిరత్వం: వేఫర్ క్యారియర్ ఎపిటాక్సియల్ గ్రోత్ ఫర్నేస్‌లలో సాధారణంగా ఉండే విపరీతమైన ఉష్ణోగ్రతలను తట్టుకోగలదు, వార్పింగ్ లేదా క్రాకింగ్ లేకుండా దాని నిర్మాణ సమగ్రతను కాపాడుతుంది.

3. మెరుగైన దిగుబడి మరియు ప్రక్రియ సామర్థ్యం: పొరలు సురక్షితంగా మరియు స్థిరంగా నిర్వహించబడుతున్నాయని నిర్ధారించడం ద్వారా, SiC-కోటెడ్ గ్రాఫైట్ వేఫర్ క్యారియర్ మొత్తం దిగుబడి మరియు ఎపిటాక్సియల్ వృద్ధి ప్రక్రియ యొక్క సామర్థ్యాన్ని మెరుగుపరచడంలో సహాయపడుతుంది.

4. అనుకూలీకరణ ఎంపికలు: వివిధ ఎపిటాక్సియల్ రియాక్టర్‌ల యొక్క నిర్దిష్ట అవసరాలను తీర్చడానికి క్యారియర్ పరిమాణం మరియు కాన్ఫిగరేషన్ పరంగా అనుకూలీకరించబడుతుంది, ఇది విస్తృత శ్రేణి సెమీకండక్టర్ అప్లికేషన్‌లకు వశ్యతను అందిస్తుంది.

సెమికోరెక్స్SiC-పూతతో కూడిన గ్రాఫైట్సెమీకండక్టర్ పరిశ్రమలో వేఫర్ క్యారియర్ కీలకమైన భాగం, ఇది ఎపిటాక్సియల్ గ్రోత్ ప్రాసెస్‌లో పొర నిర్వహణకు సరైన పరిష్కారాన్ని అందిస్తుంది. థర్మల్ స్టెబిలిటీ, కెమికల్ రెసిస్టెన్స్ మరియు మెకానికల్ బలం కలయికతో, ఇది సెమీకండక్టర్ పొరల యొక్క ఖచ్చితమైన మరియు విశ్వసనీయమైన నిర్వహణను నిర్ధారిస్తుంది, ఇది అధిక-నాణ్యత ఫలితాలు మరియు ఎపిటాక్సీ ప్రక్రియలలో మెరుగైన దిగుబడికి దారి తీస్తుంది. సిలికాన్ కార్బైడ్ ఎపిటాక్సీ లేదా ఇతర అధునాతన సెమీకండక్టర్ అప్లికేషన్‌ల కోసం అయినా, ఈ వేఫర్ క్యారియర్ ఆధునిక సెమీకండక్టర్ తయారీ యొక్క ఖచ్చితమైన ప్రమాణాలకు అనుగుణంగా అవసరమైన మన్నిక మరియు పనితీరును అందిస్తుంది.