CVD SiC కోటెడ్ బారెల్ ససెప్టర్

సెమికోరెక్స్ CVD SiC కోటెడ్ బారెల్ ససెప్టర్ అనేది అధునాతన సెమీకండక్టర్ తయారీ ప్రక్రియలకు, ప్రత్యేకించి ఎపిటాక్సీకి అనుగుణంగా రూపొందించబడిన ఒక ఖచ్చితమైన ఇంజనీరింగ్ భాగం. ఖచ్చితత్వం మరియు ఆవిష్కరణతో నిర్మించబడిన, ఈ CVD SiC కోటెడ్ బారెల్ ససెప్టర్ అసమానమైన సామర్థ్యం మరియు విశ్వసనీయతతో పొరలపై సెమీకండక్టర్ పదార్థాల ఎపిటాక్సియల్ వృద్ధిని సులభతరం చేయడానికి రూపొందించబడింది.

CVD SiC కోటెడ్ బారెల్ ససెప్టర్ కోర్ వద్ద ఒక బలమైన గ్రాఫైట్ నిర్మాణం ఉంది, ఇది అసాధారణమైన ఉష్ణ వాహకత మరియు యాంత్రిక బలానికి ప్రసిద్ధి చెందింది. ఈ గ్రాఫైట్ బేస్ ససెప్టర్‌కు ధృడమైన పునాదిగా పనిచేస్తుంది, ఎపిటాక్సియల్ రియాక్టర్‌ల డిమాండ్ పరిస్థితుల్లో స్థిరత్వం మరియు దీర్ఘాయువును నిర్ధారిస్తుంది.

గ్రాఫైట్ సబ్‌స్ట్రేట్‌ను మెరుగుపరచడం అనేది రసాయన ఆవిరి నిక్షేపణ (CVD) సిలికాన్ కార్బైడ్ (SiC) యొక్క అత్యాధునిక పూత. ఈ ప్రత్యేకమైన SiC పూత రసాయన ఆవిరి నిక్షేపణ ప్రక్రియ ద్వారా ఖచ్చితంగా వర్తించబడుతుంది, దీని ఫలితంగా గ్రాఫైట్ ఉపరితలాన్ని కప్పి ఉంచే ఏకరీతి మరియు మన్నికైన పొర ఏర్పడుతుంది. CVD SiC కోటెడ్ బారెల్ ససెప్టర్ యొక్క CVD SiC పూత ఎపిటాక్సియల్ ప్రక్రియలకు కీలకమైన అనేక ప్రయోజనాలను పరిచయం చేస్తుంది.

CVD SiC కోటెడ్ బారెల్ ససెప్టర్ యొక్క CVD SiC పూత అధిక ఉష్ణ వాహకత మరియు ఉష్ణ స్థిరత్వంతో సహా అసాధారణమైన ఉష్ణ లక్షణాలను ప్రదర్శిస్తుంది. ఎపిటాక్సియల్ పెరుగుదల సమయంలో సెమీకండక్టర్ పొరల యొక్క ఏకరీతి మరియు ఖచ్చితమైన వేడిని నిర్ధారించడంలో ఈ లక్షణాలు కీలకమైనవి, తద్వారా స్థిరమైన పొర నిక్షేపణను ప్రోత్సహిస్తాయి మరియు తుది ఉత్పత్తిలో లోపాలను తగ్గించడం.

CVD SiC కోటెడ్ బారెల్ ససెప్టర్ యొక్క బారెల్-ఆకారపు డిజైన్ సమర్థవంతమైన పొర లోడింగ్ మరియు అన్‌లోడింగ్ కోసం ఆప్టిమైజ్ చేయబడింది, అలాగే పొర ఉపరితలం అంతటా సరైన ఉష్ణ పంపిణీ. ఈ డిజైన్ ఫీచర్, CVD SiC పూత యొక్క అత్యుత్తమ పనితీరుతో పాటు, ఎపిటాక్సియల్ తయారీ కార్యకలాపాలలో అసమానమైన ప్రక్రియ నియంత్రణ మరియు దిగుబడికి హామీ ఇస్తుంది.