ఎపిటాక్సియల్ వేఫర్ బోట్

సెమికోరెక్స్ వర్టికల్/లమ్ మరియు క్షితిజ సమాంతర కాన్ఫిగరేషన్‌ల కోసం వేఫర్ బోట్‌లు, పీడెస్టల్స్ మరియు కస్టమ్ వేఫర్ క్యారియర్‌లను అందిస్తుంది. మేము చాలా సంవత్సరాలుగా సిలికాన్ కార్బైడ్ కోటింగ్ ఫిల్మ్ తయారీదారు మరియు సరఫరాదారుగా ఉన్నాము. మా ఎపిటాక్సియల్ వేఫర్ బోట్ మంచి ధర ప్రయోజనాన్ని కలిగి ఉంది మరియు చాలా యూరోపియన్ మరియు అమెరికన్ మార్కెట్‌లను కవర్ చేస్తుంది. చైనాలో మీ దీర్ఘకాలిక భాగస్వామిగా మారేందుకు మేము ఎదురుచూస్తున్నాము.

విచారణ పంపండి

ఉత్పత్తి వివరణ

సెమికోరెక్స్ ఎపిటాక్సియల్ వేఫర్ బోట్, సెమీకండక్టర్ తయారీలో పొర ప్రాసెసింగ్‌కు సరైన పరిష్కారం. మా ఎపిటాక్సియల్ వేఫర్ బోట్‌లు అధిక-నాణ్యత సిలికాన్ కార్బైడ్ (SiC) సిరామిక్‌తో తయారు చేయబడ్డాయి, ఇవి అధిక ఉష్ణోగ్రతలు మరియు రసాయన తుప్పుకు అధిక నిరోధకతను అందిస్తాయి.
మా సిలికాన్ కార్బైడ్ ఎపిటాక్సియల్ వేఫర్ బోట్ మీ ఉత్పత్తులకు అత్యధిక స్థాయి స్వచ్ఛతను నిర్ధారిస్తూ, కణాల ఉత్పత్తిని తగ్గించే మృదువైన ఉపరితలం కలిగి ఉంది. అద్భుతమైన ఉష్ణ వాహకత మరియు ఉన్నతమైన మెకానికల్ బలంతో, మా పడవలు స్థిరమైన మరియు నమ్మదగిన ఫలితాలను అందిస్తాయి.
మా ఎపిటాక్సియల్ వేఫర్ బోట్లు అన్ని ప్రామాణిక పొర ప్రాసెసింగ్ పరికరాలకు అనుకూలంగా ఉంటాయి మరియు 1600°C వరకు ఉష్ణోగ్రతలను తట్టుకోగలవు. వాటిని నిర్వహించడం మరియు శుభ్రపరచడం సులభం, మీ తయారీ అవసరాల కోసం వాటిని ఖర్చుతో కూడుకున్న మరియు సమర్థవంతమైన ఎంపికగా మారుస్తుంది.
మా నిపుణుల బృందం అత్యుత్తమ నాణ్యత మరియు సేవను అందించడానికి కట్టుబడి ఉంది. మేము మీ నిర్దిష్ట అవసరాలను తీర్చడానికి అనుకూల డిజైన్‌లను అందిస్తాము మరియు మా ఉత్పత్తులు మా నాణ్యత హామీ ప్రోగ్రామ్ ద్వారా మద్దతునిస్తాయి.

ఎపిటాక్సియల్ వేఫర్ బోట్ యొక్క పారామితులు

సాంకేతిక లక్షణాలు
సూచిక	యూనిట్	విలువ
మెటీరియల్ పేరు		రియాక్షన్ సింటర్డ్ సిలికాన్ కార్బైడ్	ప్రెజర్‌లెస్ సింటెర్డ్ సిలికాన్ కార్బైడ్	రీక్రిస్టలైజ్డ్ సిలికాన్ కార్బైడ్
కూర్పు		RBSiC	SSiC	R-SiC
బల్క్ డెన్సిటీ	g/cm3	3	3.15 ± 0.03	2.60-2.70
ఫ్లెక్సురల్ స్ట్రెంత్	MPa (kpsi)	338(49)	380(55)	80-90 (20°C)90-100(1400°C)
సంపీడన బలం	MPa (kpsi)	1120(158)	3970(560)	> 600
కాఠిన్యం	నూప్	2700	2800	/
బ్రేకింగ్ టెనాసిటీ	MPa m1/2	4.5	4	/
ఉష్ణ వాహకత	W/m.k	95	120	23
థర్మల్ విస్తరణ యొక్క గుణకం	10^-6.1/°C	5	4	4.7
నిర్దిష్ట వేడి	జూల్/గ్రా 0కే	0.8	0.67	/
గాలిలో గరిష్ట ఉష్ణోగ్రత	℃	1200	1500	1600
సాగే మాడ్యులస్	Gpa	360	410	240

SSiC మరియు RBSiC మధ్య వ్యత్యాసం:

1. సింటరింగ్ ప్రక్రియ భిన్నంగా ఉంటుంది. RBSiC అనేది తక్కువ ఉష్ణోగ్రత వద్ద ఉచిత Siని సిలికాన్ కార్బైడ్‌లోకి చొప్పించడం, SSiC 2100 డిగ్రీల వద్ద సహజ సంకోచం ద్వారా ఏర్పడుతుంది.

2. SSiC మృదువైన ఉపరితలం, అధిక సాంద్రత మరియు అధిక బలాన్ని కలిగి ఉంటుంది, మరింత కఠినమైన ఉపరితల అవసరాలు కలిగిన కొన్ని సీలింగ్‌లకు SSiC మెరుగ్గా ఉంటుంది.

3. వేర్వేరు PH మరియు ఉష్ణోగ్రత కింద వేర్వేరు సమయం, SSiC RBSiC కంటే ఎక్కువ

సిలికాన్ కార్బైడ్ ఎపిటాక్సియల్ వేఫర్ బోట్ యొక్క లక్షణాలు

MOCVDచే పూత చేయబడిన అధిక స్వచ్ఛత SiC
సుపీరియర్ హీట్ రెసిస్టెన్స్ & థర్మల్ ఏకరూపత
మృదువైన ఉపరితలం కోసం ఫైన్ SiC క్రిస్టల్ పూత పూయబడింది
రసాయన శుభ్రపరచడానికి వ్యతిరేకంగా అధిక మన్నిక
పగుళ్లు మరియు డీలామినేషన్ జరగకుండా మెటీరియల్ రూపొందించబడింది.