సిలికాన్ కార్బైడ్ ఎపిటాక్సీ రిసెప్టర్

సెమికోరెక్స్ గ్రాఫైట్, సిరామిక్స్ మరియు సిలికాన్ కార్బైడ్ ఎపిటాక్సీ ససెప్టర్ వంటి ఇతర పదార్థాల ఉపరితలంపై సివిడి పద్ధతి ద్వారా SiC కోటింగ్ ప్రాసెస్ సేవలను అందిస్తుంది, తద్వారా కార్బన్ మరియు సిలికాన్‌తో కూడిన ప్రత్యేక వాయువులు అధిక స్వచ్ఛత కలిగిన SiC అణువులను పొందేందుకు అధిక ఉష్ణోగ్రత వద్ద ప్రతిస్పందిస్తాయి. పూత పదార్థాల ఉపరితలం, SIC రక్షణ పొరను ఏర్పరుస్తుంది. ఏర్పడిన SIC గ్రాఫైట్ బేస్‌తో దృఢంగా బంధించబడి, గ్రాఫైట్ బేస్‌కు ప్రత్యేక లక్షణాలను ఇస్తుంది, తద్వారా గ్రాఫైట్ యొక్క ఉపరితలం కాంపాక్ట్, సచ్ఛిద్రత-రహిత, అధిక ఉష్ణోగ్రత నిరోధకత, తుప్పు నిరోధకత మరియు ఆక్సీకరణ నిరోధకతను కలిగి ఉంటుంది.
మా సిలికాన్ కార్బైడ్ ఎపిటాక్సీ ససెప్టర్ ఉత్తమ లామినార్ గ్యాస్ ఫ్లో నమూనాను సాధించడానికి రూపొందించబడింది, ఇది థర్మల్ ప్రొఫైల్ యొక్క సమానత్వాన్ని నిర్ధారిస్తుంది. ఇది వేఫర్ చిప్‌పై అధిక-నాణ్యత ఎపిటాక్సియల్ పెరుగుదలను నిర్ధారిస్తూ, ఏదైనా కాలుష్యం లేదా మలినాలను వ్యాపించకుండా నిరోధించడంలో సహాయపడుతుంది.
మా సిలికాన్ కార్బైడ్ ఎపిటాక్సీ ససెప్టర్ గురించి మరింత తెలుసుకోవడానికి ఈరోజే మమ్మల్ని సంప్రదించండి.

సిలికాన్ కార్బైడ్ ఎపిటాక్సీ ససెప్టర్ యొక్క పారామితులు

సిలికాన్ కార్బైడ్ ఎపిటాక్సీ ససెప్టర్ యొక్క లక్షణాలు

- గ్రాఫైట్ సబ్‌స్ట్రేట్ మరియు సిలికాన్ కార్బైడ్ పొర రెండూ మంచి సాంద్రతను కలిగి ఉంటాయి మరియు అధిక ఉష్ణోగ్రత మరియు తినివేయు పని వాతావరణాలలో మంచి రక్షణ పాత్రను పోషిస్తాయి.
- సింగిల్ క్రిస్టల్ పెరుగుదలకు ఉపయోగించే సిలికాన్ కార్బైడ్ కోటెడ్ ససెప్టర్ చాలా ఎక్కువ ఉపరితల ఫ్లాట్‌నెస్‌ను కలిగి ఉంటుంది.
- గ్రాఫైట్ సబ్‌స్ట్రేట్ మరియు సిలికాన్ కార్బైడ్ లేయర్ మధ్య థర్మల్ ఎక్స్‌పాన్షన్ కోఎఫీషియంట్‌లో వ్యత్యాసాన్ని తగ్గించండి, పగుళ్లు మరియు డీలామినేషన్‌ను నిరోధించడానికి బంధన బలాన్ని సమర్థవంతంగా మెరుగుపరుస్తుంది.
- గ్రాఫైట్ సబ్‌స్ట్రేట్ మరియు సిలికాన్ కార్బైడ్ పొర రెండూ అధిక ఉష్ణ వాహకత మరియు అద్భుతమైన ఉష్ణ పంపిణీ లక్షణాలను కలిగి ఉంటాయి.
- అధిక ద్రవీభవన స్థానం, అధిక ఉష్ణోగ్రత ఆక్సీకరణ నిరోధకత, తుప్పు నిరోధకత.