RTP/RTA SiC కోటింగ్ క్యారియర్

సెమికోరెక్స్ RTP/RTA SiC కోటింగ్ క్యారియర్ నిక్షేపణ వాతావరణంలోని క్లిష్ట పరిస్థితులను తట్టుకునేలా రూపొందించబడింది. అధిక వేడి మరియు తుప్పు నిరోధకతతో, ఈ ఉత్పత్తి ఎపిటాక్సియల్ పెరుగుదలకు సరైన పనితీరును అందించడానికి రూపొందించబడింది. SiC కోటెడ్ క్యారియర్ అధిక ఉష్ణ వాహకత మరియు అద్భుతమైన ఉష్ణ పంపిణీ లక్షణాలను కలిగి ఉంది, RTA, RTP లేదా కఠినమైన రసాయన క్లీనింగ్ కోసం విశ్వసనీయ పనితీరును నిర్ధారిస్తుంది.

విచారణ పంపండి

ఉత్పత్తి వివరణ

MOCVD ఎపిటాక్సియల్ గ్రోత్ కోసం మా RTP/RTA SiC కోటింగ్ క్యారియర్ వేఫర్ హ్యాండ్లింగ్ మరియు ఎపిటాక్సియల్ గ్రోత్ ప్రాసెసింగ్ కోసం సరైన పరిష్కారం. మృదువైన ఉపరితలం మరియు రసాయన శుభ్రతకు వ్యతిరేకంగా అధిక మన్నికతో, ఈ ఉత్పత్తి కఠినమైన నిక్షేపణ వాతావరణంలో నమ్మకమైన పనితీరును అందిస్తుంది.
మా RTP/RTA SiC కోటింగ్ క్యారియర్ యొక్క మెటీరియల్ పగుళ్లు మరియు డీలామినేషన్‌ను నివారించడానికి ఇంజినీరింగ్ చేయబడింది, అయితే ఉన్నతమైన వేడి నిరోధకత మరియు ఉష్ణ ఏకరూపత RTA, RTP లేదా కఠినమైన రసాయన శుభ్రత కోసం స్థిరమైన పనితీరును నిర్ధారిస్తుంది.
మా RTP/RTA SiC కోటింగ్ క్యారియర్ గురించి మరింత తెలుసుకోవడానికి ఈరోజే మమ్మల్ని సంప్రదించండి

RTP/RTA SiC కోటింగ్ క్యారియర్ యొక్క పారామితులు

CVD-SIC కోటింగ్ యొక్క ప్రధాన లక్షణాలు
SiC-CVD లక్షణాలు
క్రిస్టల్ నిర్మాణం	FCC β దశ
సాంద్రత	g/cm ³	3.21
కాఠిన్యం	వికర్స్ కాఠిన్యం	2500
ధాన్యం పరిమాణం	μm	2~10
రసాయన స్వచ్ఛత	%	99.99995
ఉష్ణ సామర్థ్యం	J kg-1 K-1	640
సబ్లిమేషన్ ఉష్ణోగ్రత	℃	2700
Felexural బలం	MPa (RT 4-పాయింట్)	415
యంగ్స్ మాడ్యులస్	Gpa (4pt బెండ్, 1300℃)	430
థర్మల్ విస్తరణ (C.T.E)	10-6K-1	4.5
ఉష్ణ వాహకత	(W/mK)	300

RTP/RTA SiC కోటింగ్ క్యారియర్ యొక్క లక్షణాలు

అధిక స్వచ్ఛత SiC పూతతో కూడిన గ్రాఫైట్
సుపీరియర్ హీట్ రెసిస్టెన్స్ & థర్మల్ ఏకరూపత
ఒక మృదువైన ఉపరితలం కోసం ఫైన్ SiC క్రిస్టల్ పూత
రసాయన శుభ్రపరచడానికి వ్యతిరేకంగా అధిక మన్నిక
పగుళ్లు మరియు డీలామినేషన్ జరగకుండా మెటీరియల్ రూపొందించబడింది.