సెమికోరెక్స్ RTP SiC కోటింగ్ క్యారియర్ ఉన్నతమైన ఉష్ణ నిరోధకత మరియు ఉష్ణ ఏకరూపతను అందిస్తుంది, ఇది సెమీకండక్టర్ వేఫర్ ప్రాసెసింగ్ అప్లికేషన్లకు సరైన పరిష్కారం. దాని అధిక-నాణ్యత SiC పూతతో కూడిన గ్రాఫైట్తో, ఈ ఉత్పత్తి ఎపిటాక్సియల్ పెరుగుదల కోసం కఠినమైన నిక్షేపణ వాతావరణాన్ని తట్టుకునేలా రూపొందించబడింది. అధిక ఉష్ణ వాహకత మరియు అద్భుతమైన ఉష్ణ పంపిణీ లక్షణాలు RTA, RTP లేదా కఠినమైన రసాయన శుభ్రపరచడం కోసం నమ్మకమైన పనితీరును నిర్ధారిస్తాయి.
మా RTP SiC కోటింగ్ క్యారియర్ నిక్షేపణ వాతావరణంలోని క్లిష్ట పరిస్థితులను తట్టుకునేలా రూపొందించబడింది. అధిక వేడి మరియు తుప్పు నిరోధకతతో, ఎపిటాక్సీ ససెప్టర్లు ఎపిటాక్సియల్ పెరుగుదలకు ఖచ్చితమైన నిక్షేపణ వాతావరణానికి లోబడి ఉంటాయి. క్యారియర్పై ఉన్న చక్కటి SiC క్రిస్టల్ పూత మృదువైన ఉపరితలం మరియు రసాయన శుభ్రతకు వ్యతిరేకంగా అధిక మన్నికను నిర్ధారిస్తుంది, అయితే పదార్థం పగుళ్లు మరియు డీలామినేషన్ను నిరోధించడానికి ఇంజనీరింగ్ చేయబడింది.
సెమికోరెక్స్లో, మేము అధిక-నాణ్యత, తక్కువ ఖర్చుతో కూడిన RTP SiC కోటింగ్ క్యారియర్ను అందించడంపై దృష్టి పెడతాము, మేము కస్టమర్ సంతృప్తికి ప్రాధాన్యతనిస్తాము మరియు తక్కువ ఖర్చుతో కూడిన పరిష్కారాలను అందిస్తాము. మేము మీ దీర్ఘ-కాల భాగస్వామిగా మారడానికి, అధిక-నాణ్యత ఉత్పత్తులను మరియు అసాధారణమైన కస్టమర్ సేవను అందించడానికి ఎదురుచూస్తున్నాము.
మా RTP SiC కోటింగ్ క్యారియర్ గురించి మరింత తెలుసుకోవడానికి ఈరోజే మమ్మల్ని సంప్రదించండి.
RTP SiC కోటింగ్ క్యారియర్ యొక్క పారామితులు
CVD-SIC కోటింగ్ యొక్క ప్రధాన లక్షణాలు |
||
SiC-CVD లక్షణాలు |
||
క్రిస్టల్ నిర్మాణం |
FCC β దశ |
|
సాంద్రత |
g/cm ³ |
3.21 |
కాఠిన్యం |
వికర్స్ కాఠిన్యం |
2500 |
ధాన్యం పరిమాణం |
μm |
2~10 |
రసాయన స్వచ్ఛత |
% |
99.99995 |
ఉష్ణ సామర్థ్యం |
J kg-1 K-1 |
640 |
సబ్లిమేషన్ ఉష్ణోగ్రత |
℃ |
2700 |
Felexural బలం |
MPa (RT 4-పాయింట్) |
415 |
యంగ్స్ మాడ్యులస్ |
Gpa (4pt బెండ్, 1300℃) |
430 |
థర్మల్ విస్తరణ (C.T.E) |
10-6K-1 |
4.5 |
ఉష్ణ వాహకత |
(W/mK) |
300 |
RTP SiC కోటింగ్ క్యారియర్ యొక్క లక్షణాలు
అధిక స్వచ్ఛత SiC పూతతో కూడిన గ్రాఫైట్
సుపీరియర్ హీట్ రెసిస్టెన్స్ & థర్మల్ ఏకరూపత
మృదువైన ఉపరితలం కోసం ఫైన్ SiC క్రిస్టల్ పూత పూయబడింది
రసాయన శుభ్రపరచడానికి వ్యతిరేకంగా అధిక మన్నిక
పగుళ్లు మరియు డీలామినేషన్ జరగకుండా మెటీరియల్ రూపొందించబడింది.