SiC-కోటెడ్ ఎపిటాక్సియల్ ససెప్టర్లు

సెమీకండక్టర్ఉపరితలాలుగ్యాస్ ప్రవాహ దిశ (క్షితిజ సమాంతర మరియు నిలువు), ఉష్ణోగ్రత, పీడనం, ఉపరితల స్థిరీకరణ మరియు కణాల కాలుష్యంతో సహా బహుళ క్లిష్టమైన కారకాల ప్రభావం కారణంగా ఎపిటాక్సియల్ నిక్షేపణ సమయంలో MOCVD లేదా CVD పరికరాలలో బేస్‌పై నేరుగా అమర్చబడదు. ఈ కారణంగా, సెమీకండక్టర్ సబ్‌స్ట్రేట్‌లకు మద్దతు ఇవ్వడానికి మరియు భద్రపరచడానికి MOCVD/CVD సిస్టమ్‌లలోని రియాక్షన్ ఛాంబర్ మధ్యలో ఎపిటాక్సియల్ ససెప్టర్‌లను ఉంచడం అవసరం, తద్వారా వైబ్రేషన్ లేదా పొజిషనల్ డిస్ ప్లేస్‌మెంట్ వల్ల కలిగే ఎపిటాక్సియల్ గ్రోత్ క్వాలిటీ క్షీణతను నివారిస్తుంది.

అధిక స్వచ్ఛత గ్రాఫైట్ సెమికోరెక్స్ కోసం మాతృక పదార్థంగా ఉపయోగించబడుతుందిSiC-కోటెడ్ ఎపిటాక్సియల్ ససెప్టర్లు, అధునాతన CVD టెక్నిక్‌ల ద్వారా సిలికాన్ కార్బైడ్ పూత వాటి ఉపరితలంపై నిక్షిప్తం చేయబడింది. సెమికోరెక్స్ SiC-కోటెడ్ ఎపిటాక్సియల్ ససెప్టర్లు అనేది ఎపిటాక్సియల్ లేయర్ నిర్మాణ ప్రక్రియలో అనివార్యమైన భాగాలు. సెమీకండక్టర్ సబ్‌స్ట్రేట్‌లపై ఎపిటాక్సియల్ పొరల పెరుగుదలకు స్థిరమైన మరియు నియంత్రించదగిన ఆపరేటింగ్ వాతావరణాన్ని అందించడం వారి ప్రాథమిక పాత్ర, తద్వారా పొర ఉపరితల నాణ్యత యొక్క స్థిరత్వాన్ని నిర్ధారించవచ్చు.

సెమికోరెక్స్ SiC-కోటెడ్ ఎపిటాక్సియల్ ససెప్టర్ల లక్షణాలు

1. 1600℃ ఆపరేటింగ్ పరిస్థితులను తట్టుకునే అత్యుత్తమ అధిక-ఉష్ణోగ్రత నిరోధకత.

2.హై థర్మల్ కండక్టివిటీ, సెమీకండక్టర్ సబ్‌స్ట్రేట్‌లపై ఏకరీతి ఉష్ణోగ్రత పంపిణీని నిర్వహించడానికి వేగవంతమైన ఉష్ణ బదిలీని అందిస్తుంది.

3. రసాయన క్షీణత మరియు తుప్పును నిరోధించడానికి బలమైన రసాయన తుప్పు నిరోధకత, ఉపరితలాలు మరియు ఎపిటాక్సియల్ పొరల ప్రక్రియ కాలుష్యాన్ని నివారించడం.

4.కోటింగ్ క్రాకింగ్ మరియు డీలామినేషన్ సంభవించకుండా ఉండటానికి సుపీరియర్ థర్మల్ షాక్ రెసిస్టెన్స్.

5.అసాధారణ ఉపరితల ఫ్లాట్‌నెస్, ఖాళీలు మరియు లోపాలను తగ్గించే సబ్‌స్ట్రేట్‌లకు సున్నితంగా అమర్చడం.

6.Longer సర్వీస్ జీవితం, భాగాలు భర్తీ మరియు నిర్వహణ వలన సమయం మరియు ఆర్థిక నష్టాలను తగ్గించడం.

సెమికోరెక్స్ SiC-కోటెడ్ ఎపిటాక్సియల్ ససెప్టర్ల అప్లికేషన్లు

బహుళ అద్భుతమైన ప్రయోజనాలతో, సెమికోరెక్స్ సిఐసి-కోటెడ్ ఎపిటాక్సియల్ ససెప్టర్లు ఎపిటాక్సియల్ థిన్ ఫిల్మ్‌ల ఏకరీతి మరియు నియంత్రించదగిన వృద్ధిని సులభతరం చేయడంలో కీలక పాత్ర పోషిస్తాయి మరియు సెమీకండక్టర్ ఎపిటాక్సియల్ గ్రోత్ ప్రాసెస్‌లో విస్తృతంగా వర్తించబడతాయి.

1.GaN ఎపిటాక్సియల్ పెరుగుదల

2.SiC ఎపిటాక్సియల్ పెరుగుదల

3.Si ఎపిటాక్సియల్ పెరుగుదల