MOCVD కోసం SiC కోటెడ్ ప్లేట్ క్యారియర్లు

MOCVD కోసం మా SiC కోటెడ్ ప్లేట్ క్యారియర్‌లు అధిక స్వచ్ఛతను కలిగి ఉంటాయి, ఇది అత్యంత ఏకరీతిగా మరియు దాని ప్రాపర్టీలలో స్థిరంగా ఉండే క్యారియర్ కోసం వెతుకుతున్న వారికి ఇది అద్భుతమైన ఎంపిక.
MOCVD కోసం మా SiC కోటెడ్ ప్లేట్ క్యారియర్‌లు గ్రాఫైట్‌పై అధిక స్వచ్ఛత కలిగిన సిలికాన్ కార్బైడ్ పూతతో తయారు చేయబడ్డాయి, ఇది 1600°C వరకు అధిక ఉష్ణోగ్రతల వద్ద ఆక్సీకరణకు అధిక నిరోధకతను కలిగిస్తుంది. దాని తయారీలో ఉపయోగించే CVD రసాయన ఆవిరి నిక్షేపణ ప్రక్రియ అధిక స్వచ్ఛత మరియు అద్భుతమైన తుప్పు నిరోధకతను నిర్ధారిస్తుంది. ఇది దట్టమైన ఉపరితలం మరియు సూక్ష్మ కణాలతో అధిక తుప్పు-నిరోధకతను కలిగి ఉంటుంది, ఇది యాసిడ్, క్షార, ఉప్పు మరియు సేంద్రీయ కారకాలకు నిరోధకతను కలిగి ఉంటుంది. దీని అధిక-ఉష్ణోగ్రత ఆక్సీకరణ నిరోధకత 1600 ° C వరకు అధిక ఉష్ణోగ్రతల వద్ద స్థిరత్వాన్ని నిర్ధారిస్తుంది.

MOCVD కోసం SiC కోటెడ్ ప్లేట్ క్యారియర్‌ల పారామితులు

MOCVD కోసం SiC కోటెడ్ గ్రాఫైట్ ససెప్టర్ యొక్క లక్షణాలు

- పై తొక్కను నివారించండి మరియు అన్ని ఉపరితలంపై పూత ఉండేలా చూసుకోండి
అధిక ఉష్ణోగ్రత ఆక్సీకరణ నిరోధకత: 1600 ° C వరకు అధిక ఉష్ణోగ్రతల వద్ద స్థిరంగా ఉంటుంది
అధిక స్వచ్ఛత: అధిక ఉష్ణోగ్రత క్లోరినేషన్ పరిస్థితుల్లో CVD రసాయన ఆవిరి నిక్షేపణ ద్వారా తయారు చేయబడింది.
తుప్పు నిరోధకత: అధిక కాఠిన్యం, దట్టమైన ఉపరితలం మరియు చక్కటి కణాలు.
తుప్పు నిరోధకత: యాసిడ్, క్షార, ఉప్పు మరియు సేంద్రీయ కారకాలు.
- ఉత్తమ లామినార్ గ్యాస్ ఫ్లో నమూనాను సాధించండి
- థర్మల్ ప్రొఫైల్ యొక్క సమానత్వానికి హామీ ఇవ్వండి
- ఏదైనా కాలుష్యం లేదా మలినాలు వ్యాప్తి చెందకుండా నిరోధించండి