MOCVD కోసం SiC కోటింగ్ గ్రాఫైట్ సబ్‌స్ట్రేట్ వేఫర్ క్యారియర్లు

మీరు మా ఫ్యాక్టరీ నుండి MOCVD కోసం SiC కోటింగ్ గ్రాఫైట్ సబ్‌స్ట్రేట్ వేఫర్ క్యారియర్‌లను కొనుగోలు చేయడానికి హామీ ఇవ్వవచ్చు. సెమికోరెక్స్‌లో, మేము చైనాలో SiC కోటెడ్ గ్రాఫైట్ ససెప్టర్ యొక్క పెద్ద-స్థాయి తయారీదారు మరియు సరఫరాదారు. మా ఉత్పత్తి మంచి ధర ప్రయోజనాన్ని కలిగి ఉంది మరియు అనేక యూరోపియన్ మరియు అమెరికన్ మార్కెట్‌లను కవర్ చేస్తుంది. మేము మా కస్టమర్‌లకు వారి నిర్దిష్ట అవసరాలను తీర్చే అధిక-నాణ్యత ఉత్పత్తులను అందించడానికి ప్రయత్నిస్తున్నాము. MOCVD కోసం మా SiC కోటింగ్ గ్రాఫైట్ సబ్‌స్ట్రేట్ వేఫర్ క్యారియర్ వారి సెమీకండక్టర్ తయారీ ప్రక్రియ కోసం అధిక-పనితీరు గల క్యారియర్ కోసం చూస్తున్న వారికి అద్భుతమైన ఎంపిక.

విచారణ పంపండి

ఉత్పత్తి వివరణ

MOCVD కోసం SiC కోటింగ్ గ్రాఫైట్ సబ్‌స్ట్రేట్ వేఫర్ క్యారియర్ సెమీకండక్టర్ తయారీ ప్రక్రియలో కీలక పాత్ర పోషిస్తుంది. మా ఉత్పత్తి అత్యంత స్థిరంగా ఉంటుంది, తీవ్రమైన వాతావరణంలో కూడా, ఇది అధిక-నాణ్యత పొరల ఉత్పత్తికి అద్భుతమైన ఎంపిక.
MOCVD కోసం మా SiC కోటింగ్ గ్రాఫైట్ సబ్‌స్ట్రేట్ వేఫర్ క్యారియర్‌ల ఫీచర్లు అత్యద్భుతంగా ఉన్నాయి. దీని దట్టమైన ఉపరితలం మరియు చక్కటి కణాలు దాని తుప్పు నిరోధకతను పెంచుతాయి, ఇది యాసిడ్, క్షార, ఉప్పు మరియు సేంద్రీయ కారకాలకు నిరోధకతను కలిగిస్తుంది. క్యారియర్ ఒక సరి థర్మల్ ప్రొఫైల్‌ను నిర్ధారిస్తుంది మరియు ఉత్తమ లామినార్ గ్యాస్ ప్రవాహ నమూనాకు హామీ ఇస్తుంది, ఏదైనా కాలుష్యం లేదా మలినాలను పొరలోకి వ్యాపించకుండా చేస్తుంది.

MOCVD కోసం SiC కోటింగ్ గ్రాఫైట్ సబ్‌స్ట్రేట్ వేఫర్ క్యారియర్‌ల పారామితులు

CVD-SIC కోటింగ్ యొక్క ప్రధాన లక్షణాలు
SiC-CVD లక్షణాలు
క్రిస్టల్ నిర్మాణం	FCC β దశ
సాంద్రత	g/cm ³	3.21
కాఠిన్యం	వికర్స్ కాఠిన్యం	2500
ధాన్యం పరిమాణం	μm	2~10
రసాయన స్వచ్ఛత	%	99.99995
ఉష్ణ సామర్థ్యం	J kg-1 K-1	640
సబ్లిమేషన్ ఉష్ణోగ్రత	℃	2700
Felexural బలం	MPa (RT 4-పాయింట్)	415
యంగ్స్ మాడ్యులస్	Gpa (4pt బెండ్, 1300℃)	430
థర్మల్ విస్తరణ (C.T.E)	10-6K-1	4.5
ఉష్ణ వాహకత	(W/mK)	300

MOCVD కోసం SiC కోటెడ్ గ్రాఫైట్ ససెప్టర్ యొక్క లక్షణాలు

- పై తొక్కను నివారించండి మరియు అన్ని ఉపరితలంపై పూత ఉండేలా చూసుకోండి
అధిక ఉష్ణోగ్రత ఆక్సీకరణ నిరోధకత: 1600 ° C వరకు అధిక ఉష్ణోగ్రతల వద్ద స్థిరంగా ఉంటుంది
అధిక స్వచ్ఛత: అధిక ఉష్ణోగ్రత క్లోరినేషన్ పరిస్థితుల్లో CVD రసాయన ఆవిరి నిక్షేపణ ద్వారా తయారు చేయబడింది.
తుప్పు నిరోధకత: అధిక కాఠిన్యం, దట్టమైన ఉపరితలం మరియు చక్కటి కణాలు.
తుప్పు నిరోధకత: యాసిడ్, క్షార, ఉప్పు మరియు సేంద్రీయ కారకాలు.
- ఉత్తమ లామినార్ గ్యాస్ ఫ్లో నమూనాను సాధించండి
- థర్మల్ ప్రొఫైల్ యొక్క సమానత్వానికి హామీ ఇవ్వండి
- ఏదైనా కాలుష్యం లేదా మలినాలు వ్యాప్తి చెందకుండా నిరోధించండి

హాట్ ట్యాగ్‌లు: MOCVD కోసం SiC కోటింగ్ గ్రాఫైట్ సబ్‌స్ట్రేట్ వేఫర్ క్యారియర్లు, చైనా, తయారీదారులు, సరఫరాదారులు, ఫ్యాక్టరీ, అనుకూలీకరించిన, బల్క్, అధునాతన, మన్నికైనవి

ఉత్పత్తి ట్యాగ్

సంబంధిత వర్గం