SiC ఎపి-వేఫర్ ససెప్టర్లు

ఎపిటాక్సియల్ గ్రోత్ ద్వారా ఆదర్శవంతమైన మెటీరియల్ లక్షణాలను ఏర్పరచకుండా మీరు ఎలక్ట్రిక్ వాహనాల (EVలు) మరియు 5G విప్లవానికి అవసరమైన వైడ్ బ్యాండ్‌గ్యాప్ (WBG) సెమీకండక్టర్‌లను తయారు చేయలేరు. Semicorex  SiC ఎపి-వేఫర్ ససెప్టర్లు SiC మరియు GaN ఎపిటాక్సీకి పునాదిగా (థర్మల్/స్ట్రక్చరల్) ఉపయోగించడానికి రూపొందించబడ్డాయి. కలయికఐసోస్టాటిక్ గ్రాఫైట్(అద్భుతమైన ఉష్ణ వాహకత) రసాయన ఆవిరి డిపాజిటెడ్ (CVD) సిలికాన్ కార్బైడ్ (అత్యంత రసాయన నిరోధకత)తో సాధ్యమైన అత్యధిక దిగుబడి మరియు పునరావృతతను అనుమతించే ప్రక్రియ కిట్‌ను సాధిస్తుంది.

"పర్ఫెక్ట్" థర్మల్ ఎన్విరాన్‌మెంట్ ఇంజనీరింగ్

రియాక్టివ్ మరియు తినివేయు పూర్వగామి వాయువులతో సంతృప్త వాతావరణంలో తగినంత ఎపిటాక్సియల్ పెరుగుదల ఉష్ణోగ్రతలు (1,500 ° C కంటే ఎక్కువ) సాధించడానికి సాంప్రదాయ గ్రాఫైట్ క్యారియర్ బహిర్గతం అయినప్పుడు క్షీణిస్తుంది మరియు అందువల్ల పొరను కలుషితం చేస్తుంది. అయినప్పటికీ, సెమికోరెక్స్ అభివృద్ధి చేసిన SiC ఎపి-వేఫర్ ససెప్టర్లు వేలకొద్దీ ప్రాసెస్ గంటలపాటు స్థిరమైన బేస్‌తో ఎపిటాక్సీ ప్రక్రియను అందించడానికి అధునాతన మెటీరియల్స్ ఇంటిగ్రేషన్ ద్వారా ఒక పరిష్కారాన్ని సాధించాయి.

1. సుపీరియర్ థర్మల్ యూనిఫామిటీ

ససెప్టర్ యొక్క ప్రాధమిక పాత్ర ఉష్ణ వ్యాప్తిగా పని చేయడం. మా అధిక-స్వచ్ఛత ఐసోస్టాటిక్ గ్రాఫైట్ కోర్ మొత్తం పొర ఉపరితలం అంతటా ఏకరీతి ఉష్ణ క్షేత్రాన్ని అందిస్తుంది. ఇది ఎపి-లేయర్ మందం మరియు డోపింగ్ ఏకాగ్రతలో వైవిధ్యాలను కలిగించే "హాట్ స్పాట్‌లను" తగ్గిస్తుంది. RDS(ఆన్) స్థిరత్వం రాజుగా ఉన్న పవర్ ఎలక్ట్రానిక్స్ ప్రపంచంలో, సబ్-మైక్రాన్ ఏకరూపతకు అవసరమైన థర్మల్ ప్రెసిషన్‌ను మా ససెప్టర్లు అందిస్తాయి.

2. హెర్మెటిక్ CVD SiC ఎన్‌క్యాప్సులేషన్

మేము దట్టమైన, అత్యంత స్వచ్ఛమైన సిలికాన్ కార్బైడ్ కోటింగ్‌ను వర్తింపజేయడానికి అత్యాధునిక CVD ప్రక్రియను ఉపయోగిస్తాము. ఈ పొర కేవలం ఒక కవరింగ్ కాదు; అది ఒక హెర్మెటిక్ ముద్ర.

పార్టికల్ సప్రెషన్: పూత గ్రాఫైట్ సబ్‌స్ట్రేట్‌ను రియాక్షన్ ఛాంబర్‌లోకి బోరాన్ లేదా మెటాలిక్ ట్రేస్‌ల వంటి "ధూళి" లేదా అవుట్‌గ్యాసింగ్ మలినాలను నిరోధిస్తుంది.

రసాయన జడత్వం: మాSiC పూతMOCVD మరియు SiC ఎపిటాక్సీ రియాక్టర్‌లలో సాధారణంగా ఉండే H2, HCl, మరియు అమ్మోనియా (NH3) ఎచింగ్‌లకు అభేద్యంగా ఉంటుంది.

3. ప్రెసిషన్ CTE మ్యాచింగ్

పూతతో కూడిన హార్డ్‌వేర్‌లో అత్యంత సాధారణ వైఫల్య పాయింట్లలో ఒకటి థర్మల్ సైక్లింగ్ కారణంగా డీలామినేషన్. మేము ప్రత్యేకంగా గ్రాఫైట్ గ్రేడ్‌లను గుణకం ఆఫ్ థర్మల్ ఎక్స్‌పాన్షన్ (CTE)తో ఎంచుకుంటాము, అది ఖచ్చితంగా సమకాలీకరించబడిందిSiC పూత. ఈ "విస్తరణ సామరస్యం" SiC Epi-Wafer Susceptors వేగవంతమైన ర్యాంప్-అప్ మరియు రాంప్-డౌన్ చక్రాలను క్రాకింగ్ లేదా పీలింగ్ లేకుండా భరించడానికి అనుమతిస్తుంది, పరిశ్రమ-ప్రామాణిక ప్రత్యామ్నాయాలతో పోలిస్తే కాంపోనెంట్ యొక్క సేవా జీవితాన్ని 300% వరకు పొడిగిస్తుంది.

గ్లోబల్ రియాక్టర్ ప్లాట్‌ఫారమ్‌ల కోసం ఆప్టిమైజ్ చేయబడింది

మా ఇంజనీరింగ్ బృందానికి క్షితిజ సమాంతర మరియు నిలువు రియాక్టర్ కాన్ఫిగరేషన్‌ల కోసం ససెప్టర్లను రూపొందించడంలో విస్తృతమైన అనుభవం ఉంది. మేము పరిశ్రమలోని ప్రముఖ OEM సిస్టమ్‌లకు (AIXTRON, Veeco మరియు Tokyo Electron ప్లాట్‌ఫారమ్‌లతో సహా) డ్రాప్-ఇన్ రీప్లేస్‌మెంట్‌లను మరియు అనుకూల-ఇంజనీరింగ్ పరిష్కారాలను అందిస్తాము.

మీరు ప్లానెటరీ రియాక్టర్ లేదా సింగిల్-వేఫర్ టూల్‌ని నడుపుతున్నా, మా ససెప్టర్లు దీని కోసం ఆప్టిమైజ్ చేయబడతాయి:

గ్యాస్ ఫ్లో డైనమిక్స్:పొర అంతటా లామినార్ ప్రవాహాన్ని నిర్ధారించడానికి ఖచ్చితంగా మెషిన్ చేయబడిన పాకెట్స్.

పొర భ్రమణం:వృద్ధి సమయంలో స్థిరమైన, అధిక-వేగ భ్రమణానికి ఆప్టిమైజ్ చేయబడిన బరువు నుండి ఘర్షణ నిష్పత్తులు.

ఆటోమేటెడ్ హ్యాండ్లింగ్:రోబోటిక్ పొర బదిలీ యొక్క యాంత్రిక ఒత్తిడిని తట్టుకోవడానికి రీన్‌ఫోర్స్డ్ అంచులు.